51 - 60 из 75Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2014

  2. Имплантированная ионами олова пленка оксида кремния на кремниевой подложке: патент на изобретение

    Зацепин, А. Ф., Бунтов, Е. А. & Кортов, В. С., 10 дек. 2014, IPC № H01L 21/265, B82B 3/00, Федеральный институт промышленной собственности, Патент № 2535244, 18 июн. 2013, № заявки 2013127976/28

    Результаты исследований: Патент

  3. Способ получения конвертера вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния SiOх на кремниевой подложке: патент на изобретение

    Кортов, В. С., Зацепин, А. Ф. & Бунтов, Е. А., 27 нояб. 2014, IPC № C23C 14/48, C23C 14/58, H01L 33/26, C09K 11/59, Федеральный институт промышленной собственности, Патент № 2534173, 10 янв. 2013, № заявки 2013101402/02

    Результаты исследований: Патент

  4. Defects and localized states in silica layers implanted with lead ions

    Zatsepin, A. F., Fitting, H. -J., Buntov, E. A., Pustovarov, V. A. & Schmidt, B., окт. 2014, в: Journal of Luminescence. 154, стр. 425-429 5 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  5. Конвертер вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния SiOx на кремниевой подложке: патент на изобретение

    Зацепин, А. Ф., Кортов, В. С., Бунтов, Е. А. & Пустоваров, В. А., 20 авг. 2014, IPC № C23C 14/48, C23C 14/58, H01L 33/26, C09K 11/59, Федеральный институт промышленной собственности, Патент № 2526344, 10 янв. 2013, № заявки 2013101400/02

    Результаты исследований: Патент

  6. Способ получения люминофора в виде аморфной пленки диоксида кремния с ионами селена на кремниевой подложке: патент на изобретение

    Зацепин, А. Ф., Кортов, В. С. & Бунтов, Е. А., 20 янв. 2014, IPC № C23C 14/48, C23C 14/58, C23C 14/06, Федеральный институт промышленной собственности, Патент № 2504600, 6 нояб. 2012, № заявки 2012147163/02

    Результаты исследований: Патент

  7. Photoluminescence of implantation-induced defects in SiO2:Pb+ glasses

    Zatsepin, A. F., Buntov, E. A., Kortov, V. S., Pustovarov, V. A. & Gavrilov, N. V., 1 янв. 2014, в: Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 8, 3, стр. 540-544 5 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  8. Low Energy Electron Emission from Surface-Interface States of SiO2:Ge Films

    Zatsepin, A. F., Buntov, E. A., Mikhailovich, A. P., Slesarev, A. I., Fitting, H. -J. & Schmidt, B., 2014, FUNDAMENTALS AND APPLICATIONS IN SILICA AND ADVANCED DIELECTRICS (SIO2014). Carbonaro, CM. & Ricci, PC. (ред.). American Institute of Physics Publising LLC, стр. 179-184 6 стр. (AIP Conference Proceedings; том 1624).

    Результаты исследований: Глава в книге, отчете, сборнике статей › Материалы конференции › Рецензирование

  9. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ИМПЛАНТАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В СТЕКЛАХ SIO2:PB+

    Зацепин, А. Ф., Бунтов, Е. А., Кортов, В. С., Пустоваров, В. А. & Гаврилов, Н. В., 2014, в: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 6, стр. 36-40

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  10. 2013

  11. Способ получения имплантированного ионами олова кварцевого стекла: патент на изобретение

    Зацепин, А. Ф., Кортов, В. С., Бунтов, Е. А. & Гаврилов, Н. В., 27 июн. 2013, IPC № C23C 14/48, Федеральный институт промышленной собственности, Патент № 2486282, 17 нояб. 2011, № заявки 2011146759/02

    Результаты исследований: Патент

  12. Interference effects in the UV(VUV)-excited luminescence spectroscopy of thin dielectric films

    Buntov, E. & Zatsepin, A., мая 2013, в: Journal of Synchrotron Radiation. 20, 3, стр. 509-514 6 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

Назад 12 3 4 5 6 7 8 Далее

ID: 74989