Результаты исследований: Патент
Переведенное название | METHOD OF PRODUCING PHOSPHOR IN FORM OF AMORPHOUS FILM OF SILICON DIOXIDE WITH SELENIUM IONS ON SILICON SUBSTRATE: patent of invention |
---|---|
Язык оригинала | Русский |
Номер патента | 2504600 |
IPC | C23C 14/48,C23C 14/58,C23C 14/06 |
Дата подачи заявки | 06/11/2012 |
Состояние | Опубликовано - 20 янв. 2014 |
ID: 12114323