1. 2009
  2. Time-resolved photoluminescence of implanted SiO2:Si+ films

    Zatsepin, A. F., Pustovarov, V. A., Kortov, V. S., Buntov, E. A. & Fitting, H. J., 1 июл. 2009, в: Journal of Non-Crystalline Solids. 355, 18-21, стр. 1119-1122 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

  3. Urbach rule in photoelectron emission from surface states of low-sized silica

    Zatsepin, A. F. & Buntov, E. A., 1 июл. 2009, в: Journal of Non-Crystalline Solids. 355, 18-21, стр. 1123-1127 5 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

  4. Formation and electron-beam annealing of implantation defects in a thin-film Si-SiO2 heterostructure

    Zatsepin, A. F., Kaschieva, S., Biryukov, D. Y., Dmitriev, S. N. & Buntov, E. A., 1 февр. 2009, в: Technical Physics. 54, 2, стр. 323-326 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

  5. Photosensitive defects in silica layers implanted with germanium ions

    Zatsepin, A. F., Fitting, H. J., Kortov, V. S., Pustovarov, V. A., Schmidt, B. & Buntov, E. A., 1 янв. 2009, в: Journal of Non-Crystalline Solids. 355, 1, стр. 61-67 7 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

  6. 2008
  7. Characteristics of the electron-emission defects introduced in Si-SiO2 structures by MeV electron irradiation

    Zatsepin, A. F., Kaschieva, S., Dmitriev, S. N. & Buntov, E. A., 1 дек. 2008, в: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 266, 23, стр. 5027-5031 5 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

Назад 1...4 5 6 7 8 Далее

ID: 74989