61 - 70 из 75Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2013

  2. Photoluminescence of Se-related oxygen deficient center in ion-implanted silica films

    Zatsepin, A. F., Buntov, E. A., Pustovarov, V. A. & Fitting, H. -J., 2013, в: Journal of Luminescence. 143, стр. 498-502 5 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  3. Synchrotron-Excited Photoluminescence Spectroscopy of Silicon- and Carbon-Containing Quantum Dots in Low Dimensional SiO2 Matrices

    Zatsepin, A. F. & Buntov, E. A., 2013, SILICON-BASED NANOMATERIALS. Springer Verlag, Том 187. стр. 89-117 (Springer Series in Materials Science).

    Результаты исследований: Глава в книге, отчете, сборнике статей › Глава › Рецензирование

  4. 2012

  5. Low-temperature photoluminescence of ion-implanted SiO2: Sn+ films and glasses

    Zatsepin, A. F., Buntov, E. A., Kortov, V. S., Pustovarov, V. A., Fitting, H. -J., Schmidt, B. & Gavrilov, N. V., июл. 2012, в: Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 6, 4, стр. 668-672 5 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  6. Mechanism of quantum dot luminescence excitation within implanted SiO 2: Si:C films

    Zatsepin, A. F., Buntov, E. A., Kortov, V. S., Tetelbaum, D. I., Mikhaylov, A. N. & Belov, A. I., 1 февр. 2012, в: Journal of Physics Condensed Matter. 24, 4, 045301.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  7. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ПЛЕНОК И СТЕКОЛ SIO2:SN+

    Зацепин, А. Ф., Бунтов, Е. А., Кортов, В. С., Пустоваров, В. А., Fitting, H. J., Schmidt, B. & Гаврилов, Н. В., 2012, в: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 8, стр. 44

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  8. 2011

  9. Устройство для измерения мощности и частоты ультразвуковых колебаний: патент на полезную модель

    Устьянцев, Ю. Г., Бунтов, Е. А., Зацепин, А. Ф., Кортов, В. С. & Рязанова, А. С., 10 сент. 2011, IPC № G01T 1/00, Федеральный институт промышленной собственности, Патент № 108152, 5 апр. 2011, Дата приоритета 5 апр. 2011, № заявки 2011113050/28

    Результаты исследований: Патент

  10. Electronic and vibrational states of oxygen and sulfur molecular ions inside implanted SiO2 films

    Buntov, E. A., Zatsepin, A. F., Kortov, V. S., Pustovarov, V. A. & Fitting, H. J., 15 апр. 2011, в: Journal of Non-Crystalline Solids. 357, 8-9, стр. 1977-1980 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  11. 2010

  12. The relation between static disorder and photoluminescence quenching law in glasses: A numerical technique

    Zatsepin, A. F., Buntov, E. A. & Ageev, A. L., 1 окт. 2010, в: Journal of Luminescence. 130, 10, стр. 1721-1724 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  13. Low-temperature luminescence of lead silicate glass

    Zatsepin, A. F., Kukharenko, A. I., Buntov, E. A., Pustovarov, V. A. & Cholakh, S. O., 1 апр. 2010, в: Glass Physics and Chemistry. 36, 2, стр. 166-170 5 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  14. Photoelectron emission from implanted SiO2: Se+ films

    Zatsepin, A. F., Buntov, E. A., Kortov, V. S., Fitting, H. J. & Ponosov, Y. S., 1 февр. 2010, в: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 74, 2, стр. 201-205 5 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

Назад 1...3 4 5 6 7 8 Далее

ID: 74989