Результаты исследований: Патент
Переведенное название | TIN ION-IMPLANTED SILICON OXIDE FILM ON SILICON SUBSTRATE: patent of invention |
---|---|
Язык оригинала | Русский |
Номер патента | 2535244 |
IPC | H01L 21/265,B82B 3/00 |
Дата подачи заявки | 18/06/2013 |
Состояние | Опубликовано - 10 дек. 2014 |
ID: 11073866