1. 2016
  2. Relaxation of excited surface states of thin Ge-implanted silica films probed by OSEE spectroscopy

    Zatsepin, A. F., Buntov, E. A., Mikhailovich, A. P., Slesarev, A. I., Schmidt, B., von Czarnowski, A. & Fitting, H-J., янв. 2016, в: Journal of Luminescence. 169, стр. 143-150 8 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

  3. Эффекты ионизации в имплантированных структурах Si/SiO2:Li, Na, K при воздействии α-частиц высоких энергий

    Зацепин, А. Ф., Бунтов, Е. А., Слесарев, А. И. & Бирюков, Д. Ю., 2016, в: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 6, стр. 37-42 6 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

  4. 2015
  5. Point defects and interference effects in electron emission of Si/SiO2:Li,Na,K structures

    Buntov, E., Zatsepin, A., Slesarev, A., Mikhailovich, A. & Mikhaylov, A., 1 дек. 2015, в: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 212, 12, стр. 2672-2676 5 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

  6. Способ получения имплантированного ионами цинка кварцевого стекла: патент на изобретение

    Кортов, В. С., Зацепин, А. Ф., Бунтов, Е. А. & Гаврилов, Н. В., 20 нояб. 2015, IPC № C03C 21/00, Федеральный институт промышленной собственности, Патент № 2568456, 20 нояб. 2014, № заявки 2014146831/03

    Результаты исследований: Патент

  7. Elastic moduli of alumina nanoceramics

    Perevozchikova, J. A., Buntov, E. A. & Zatsepin, A. F., 2 нояб. 2015, в: Journal of Physics: Conference Series. 643, 1, 4 стр., 012100.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

  8. Photoluminescence of Si nanocrystals embedded in SiO2: Excitation/emission mapping

    Vaccaro, L., Spallino, L., Zatsepin, A. F., Buntov, E. A., Ershov, A. V., Grachev, D. A. & Cannas, M., мар. 2015, в: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 252, 3, стр. 600-606 7 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

  9. Sol-gel synthesis and photoluminescence of Zn2SiO4:Mn nanoparticles

    Petrovykh, K. A., Rempel, A. A., Kortov, V. S. & Buntov, E. A., февр. 2015, в: Inorganic Materials. 51, 2, стр. 152-157 6 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

  10. Optically stimulated electron emission from surface states of SiO2:Ge films

    Buntov, E., Zatsepin, A., Fitting, H. J. & Schmidt, B., 1 янв. 2015, в: Key Engineering Materials. 644, стр. 49-52 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

  11. Willemite photoluminescence in Zn-implanted silica glasses

    Zatsepin, A., Buntov, E., Kortov, V., Gavrilov, N. & Fitting, H-J., 2015, PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 12, NO 12. Mascher, P., Moreels, Climente, JI., Andre, P., Reece, P., Ribierre, JC., Pereira, L., Philippe, L. & Pellicer, E. (ред.). Wiley-VCH Verlag, Том 12. стр. 1355-1358 4 стр. (Physica Status Solidi C-Current Topics in Solid State Physics; том 12).

    Результаты исследований: Глава в книге, отчете, сборнике статейМатериалы конференцииРецензирование

  12. ЗОЛЬ–ГЕЛЬ-СИНТЕЗ И ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ НАНОРАЗМЕРНОГО ZN2SIO4:MN

    Петровых, К. А., Ремпель, А. А., Кортов, В. С. & Бунтов, Е. А., 2015, в: Неорганические материалы. 51, 2, стр. 193 1 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

  13. 2014
  14. Имплантированная ионами олова пленка оксида кремния на кремниевой подложке: патент на изобретение

    Зацепин, А. Ф., Бунтов, Е. А. & Кортов, В. С., 10 дек. 2014, IPC № H01L 21/265, B82B 3/00, Федеральный институт промышленной собственности, Патент № 2535244, 18 июн. 2013, № заявки 2013127976/28

    Результаты исследований: Патент

  15. Способ получения конвертера вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния SiOх на кремниевой подложке: патент на изобретение

    Кортов, В. С., Зацепин, А. Ф. & Бунтов, Е. А., 27 нояб. 2014, IPC № C23C 14/48, C23C 14/58, H01L 33/26, C09K 11/59, Федеральный институт промышленной собственности, Патент № 2534173, 10 янв. 2013, № заявки 2013101402/02

    Результаты исследований: Патент

  16. Defects and localized states in silica layers implanted with lead ions

    Zatsepin, A. F., Fitting, H. -J., Buntov, E. A., Pustovarov, V. A. & Schmidt, B., окт. 2014, в: Journal of Luminescence. 154, стр. 425-429 5 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

  17. Конвертер вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния SiOx на кремниевой подложке: патент на изобретение

    Зацепин, А. Ф., Кортов, В. С., Бунтов, Е. А. & Пустоваров, В. А., 20 авг. 2014, IPC № C23C 14/48, C23C 14/58, H01L 33/26, C09K 11/59, Федеральный институт промышленной собственности, Патент № 2526344, 10 янв. 2013, № заявки 2013101400/02

    Результаты исследований: Патент

  18. Способ получения люминофора в виде аморфной пленки диоксида кремния с ионами селена на кремниевой подложке: патент на изобретение

    Зацепин, А. Ф., Кортов, В. С. & Бунтов, Е. А., 20 янв. 2014, IPC № C23C 14/48, C23C 14/58, C23C 14/06, Федеральный институт промышленной собственности, Патент № 2504600, 6 нояб. 2012, № заявки 2012147163/02

    Результаты исследований: Патент

  19. Photoluminescence of implantation-induced defects in SiO2:Pb+ glasses

    Zatsepin, A. F., Buntov, E. A., Kortov, V. S., Pustovarov, V. A. & Gavrilov, N. V., 1 янв. 2014, в: Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 8, 3, стр. 540-544 5 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

  20. Low Energy Electron Emission from Surface-Interface States of SiO2:Ge Films

    Zatsepin, A. F., Buntov, E. A., Mikhailovich, A. P., Slesarev, A. I., Fitting, H. -J. & Schmidt, B., 2014, FUNDAMENTALS AND APPLICATIONS IN SILICA AND ADVANCED DIELECTRICS (SIO2014). Carbonaro, CM. & Ricci, PC. (ред.). American Institute of Physics Publising LLC, стр. 179-184 6 стр. (AIP Conference Proceedings; том 1624).

    Результаты исследований: Глава в книге, отчете, сборнике статейМатериалы конференцииРецензирование

  21. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ИМПЛАНТАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В СТЕКЛАХ SIO2:PB+

    Зацепин, А. Ф., Бунтов, Е. А., Кортов, В. С., Пустоваров, В. А. & Гаврилов, Н. В., 2014, в: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 6, стр. 36-40

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

  22. 2013
  23. Способ получения имплантированного ионами олова кварцевого стекла: патент на изобретение

    Зацепин, А. Ф., Кортов, В. С., Бунтов, Е. А. & Гаврилов, Н. В., 27 июн. 2013, IPC № C23C 14/48, Федеральный институт промышленной собственности, Патент № 2486282, 17 нояб. 2011, № заявки 2011146759/02

    Результаты исследований: Патент

  24. Interference effects in the UV(VUV)-excited luminescence spectroscopy of thin dielectric films

    Buntov, E. & Zatsepin, A., мая 2013, в: Journal of Synchrotron Radiation. 20, 3, стр. 509-514 6 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

ID: 74989