Weak localization and intersubband transitions in δ-doped GaAs › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1134/1.1187618
Конечная издательская версия

Язык оригинала	Английский
Страницы (с-по)	1299-1303
Число страниц	5
Журнал	Semiconductors
Том	32
Номер выпуска	12
DOI	https://doi.org/10.1134/1.1187618
Состояние	Опубликовано - 1 янв. 1998

Предметные области WoS

Физика, Конденсированных сред

Предметные области ASJC Scopus

Electronic, Optical and Magnetic Materials
Atomic and Molecular Physics, and Optics
Condensed Matter Physics

ID: 8765337