Joint effect of temperature and voltage rise rate on the switching process of Si thyristors triggered in impact ionization wave mode › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1088/1361-6641/aae1f0
Конечная издательская версия

Anton Gusev
Sergei Rukin
Sergei Tsyranov
Olga Perminova
Sergei Lyubutin
Boris Slovikovsky

Язык оригинала	Английский
Номер статьи	115012
Число страниц	10
Журнал	Semiconductor Science and Technology
Том	33
Номер выпуска	11
DOI	https://doi.org/10.1088/1361-6641/aae1f0
Состояние	Опубликовано - нояб. 2018

Предметные области WoS

Технологии, Электротехника и электроника
Материаловедение, Междисциплинарные труды
Физика, Конденсированных сред

Предметные области ASJC Scopus

Materials Chemistry
Electrical and Electronic Engineering
Condensed Matter Physics
Electronic, Optical and Magnetic Materials

ID: 8156696