Публикации

1. ПРОСТРАНСТВЕННАЯ НЕОДНОРОДНОСТЬ УДАРНО-ИОНИЗАЦИОННОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СИЛОВОГО КРЕМНИЕВОГО ДИОДА

   Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

2. Study of process of avalanche switching of silicon thyristors without bias voltage

   Результаты исследований: Вклад в журнал › Материалы конференции › Рецензирование

3. Joint effect of temperature and voltage rise rate on the switching process of Si thyristors triggered in impact ionization wave mode

   Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

Просмотреть все (17) »