Исследован процесс переключения силового кремниевого диода в проводящее состояние волной ударной ионизации, возбуждаемой импульсом перенапряжения с субнаносекундным фронтом. В экспериментах на диод диаметром 6 мм без предварительного обратного смещения подавался импульс обратного напряжения, обеспечивающий среднюю скорость нарастания напряжения на диоде dU/dt в диапазоне 1-10 кВ/нс. Численное моделирование показало, что расчетные и экспериментально наблюдаемые осциллограммы напряжения на диоде имеют количественное согласие в том случае, когда величина активной площади структуры Sa, через которую проходит ток переключения, возрастает с увеличением dU/dt. Показано, что при dU/dt<2 кВ/нс активная площадь стремится к нулю, а при dU/dt>10 кВ/нс приближается к полной площади структуры. Сравнение с результатами аналогичных работ показывает, что увеличение Sa с ростом параметра dU/dt не зависит от материала структуры (кремний и арсенид галлия), количества слоев в полупроводниковой структуре (диоды и тиристоры), а также от величины предварительного обратного смещения.