ПРОСТРАНСТВЕННАЯ НЕОДНОРОДНОСТЬ УДАРНО-ИОНИЗАЦИОННОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СИЛОВОГО КРЕМНИЕВОГО ДИОДА

Standard

ПРОСТРАНСТВЕННАЯ НЕОДНОРОДНОСТЬ УДАРНО-ИОНИЗАЦИОННОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СИЛОВОГО КРЕМНИЕВОГО ДИОДА. / Любутин, Сергей К.; Патраков, В. Е.; РУКИН, Сергей Николаевич и др.
в: Физика и техника полупроводников, Том 57, № 7, 2023, стр. 594-602.

Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

BibTeX

@article{c51a917d2cde4a63ac7692211175fda9,

title = "ПРОСТРАНСТВЕННАЯ НЕОДНОРОДНОСТЬ УДАРНО-ИОНИЗАЦИОННОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СИЛОВОГО КРЕМНИЕВОГО ДИОДА",

abstract = "Исследован процесс переключения силового кремниевого диода в проводящее состояние волной ударной ионизации, возбуждаемой импульсом перенапряжения с субнаносекундным фронтом. В экспериментах на диод диаметром 6 мм без предварительного обратного смещения подавался импульс обратного напряжения, обеспечивающий среднюю скорость нарастания напряжения на диоде dU/dt в диапазоне 1-10 кВ/нс. Численное моделирование показало, что расчетные и экспериментально наблюдаемые осциллограммы напряжения на диоде имеют количественное согласие в том случае, когда величина активной площади структуры Sa, через которую проходит ток переключения, возрастает с увеличением dU/dt. Показано, что при dU/dt<2 кВ/нс активная площадь стремится к нулю, а при dU/dt>10 кВ/нс приближается к полной площади структуры. Сравнение с результатами аналогичных работ показывает, что увеличение Sa с ростом параметра dU/dt не зависит от материала структуры (кремний и арсенид галлия), количества слоев в полупроводниковой структуре (диоды и тиристоры), а также от величины предварительного обратного смещения.",

author = "Любутин, {Сергей К.} and Патраков, {В. Е.} and РУКИН, {Сергей Николаевич} and Словиковский, {Б. Г.} and Цыранов, {Сергей Николаевич}",

note = "Работа выполнена при частичной финансовой поддержке гранта РНФ N 22-29-01257.",

year = "2023",

doi = "10.61011/FTP.2023.07.56836.4871",

language = "Русский",

volume = "57",

pages = "594--602",

journal = "Физика и техника полупроводников",

issn = "0015-3222",

publisher = "Издательство {"}Наука{"}",

number = "7",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ПРОСТРАНСТВЕННАЯ НЕОДНОРОДНОСТЬ УДАРНО-ИОНИЗАЦИОННОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СИЛОВОГО КРЕМНИЕВОГО ДИОДА

AU - Любутин, Сергей К.

AU - Патраков, В. Е.

AU - РУКИН, Сергей Николаевич

AU - Словиковский, Б. Г.

AU - Цыранов, Сергей Николаевич

N1 - Работа выполнена при частичной финансовой поддержке гранта РНФ N 22-29-01257.

PY - 2023

Y1 - 2023

N2 - Исследован процесс переключения силового кремниевого диода в проводящее состояние волной ударной ионизации, возбуждаемой импульсом перенапряжения с субнаносекундным фронтом. В экспериментах на диод диаметром 6 мм без предварительного обратного смещения подавался импульс обратного напряжения, обеспечивающий среднюю скорость нарастания напряжения на диоде dU/dt в диапазоне 1-10 кВ/нс. Численное моделирование показало, что расчетные и экспериментально наблюдаемые осциллограммы напряжения на диоде имеют количественное согласие в том случае, когда величина активной площади структуры Sa, через которую проходит ток переключения, возрастает с увеличением dU/dt. Показано, что при dU/dt<2 кВ/нс активная площадь стремится к нулю, а при dU/dt>10 кВ/нс приближается к полной площади структуры. Сравнение с результатами аналогичных работ показывает, что увеличение Sa с ростом параметра dU/dt не зависит от материала структуры (кремний и арсенид галлия), количества слоев в полупроводниковой структуре (диоды и тиристоры), а также от величины предварительного обратного смещения.

AB - Исследован процесс переключения силового кремниевого диода в проводящее состояние волной ударной ионизации, возбуждаемой импульсом перенапряжения с субнаносекундным фронтом. В экспериментах на диод диаметром 6 мм без предварительного обратного смещения подавался импульс обратного напряжения, обеспечивающий среднюю скорость нарастания напряжения на диоде dU/dt в диапазоне 1-10 кВ/нс. Численное моделирование показало, что расчетные и экспериментально наблюдаемые осциллограммы напряжения на диоде имеют количественное согласие в том случае, когда величина активной площади структуры Sa, через которую проходит ток переключения, возрастает с увеличением dU/dt. Показано, что при dU/dt<2 кВ/нс активная площадь стремится к нулю, а при dU/dt>10 кВ/нс приближается к полной площади структуры. Сравнение с результатами аналогичных работ показывает, что увеличение Sa с ростом параметра dU/dt не зависит от материала структуры (кремний и арсенид галлия), количества слоев в полупроводниковой структуре (диоды и тиристоры), а также от величины предварительного обратного смещения.

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=55825165

U2 - 10.61011/FTP.2023.07.56836.4871

DO - 10.61011/FTP.2023.07.56836.4871

M3 - Статья

VL - 57

SP - 594

EP - 602

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

IS - 7

ER -

ID: 49921797