Исследовано влияние инжекции широкого (100 см 2) пучка низкоэнергетических (до 250 эВ) электронов на характеристики магнетронного разряда при реактивном распылении Al в Ar/O 2-смеси. Показано, что с увеличением тока пучка снижается величина потока O 2, при которой происходит переход в «оксидный» режим распыления, в результате повышения скорости формирования на поверхности мишени оксидного слоя. Методом реактивного магнетронного распыления с ионным сопровождением, регулируемым за счёт генерации плазмы пучком электронов, при температуре 700 °С получены Al 2O 3-покрытия и исследован их фазовый состав.