Использование: в микроэлектронной аппаратуре с малыми значениями токов и напряжений, где требуются переключения в течение небольших промежутков времени при 10 - 150oС. Это обеспечивается за счет добавления к халькогениду серебра селенида германия и селенида мышьяка и использования в качестве халькогенида серебра селенида серебра согласно эмпирической формуле (Ag2Se)x(GeSe)2(1-x)(AS2Se3)x, где 0,1?x?0,5. Материал обеспечивает интервал рабочих температур, уменьшение времени релаксации электросопротивления до 11 - 60 с, повышение величины электросопротивления до 103 - 105 Oм•м. 1 ил., 2 табл.
Переведенное названиеResistive Material: patent of invention
Язык оригиналаРусский
Номер патента2066076
IPCH01C 7/00
Дата приоритета18/07/1994
Дата подачи заявки18/07/1994
СостояниеОпубликовано - 27 авг. 1996

    ГРНТИ

  • 29.19.00 Физика твердых тел

ID: 30504033