Standard
Резистивный материал: патент на изобретение. / Баранова, Е. Р. (Изобретатель); Кобелев, Л. Я. (Изобретатель); Злоказов, В. Б. (Изобретатель) и др.
Федеральный институт промышленной собственности. Номер патента: 2066076. авг. 27, 1996.
Результаты исследований: Патент
Harvard
Баранова, ЕР, Кобелев, ЛЯ, Злоказов, ВБ
, Мельникова, НВ, Нугаева, ЛЛ & Воробьев, АЛ авг.. 27 1996,
Резистивный материал: патент на изобретение, Номер патента 2066076. <
https://www.fips.ru/registers-doc-view/fips_servlet?DB=RUPAT&DocNumber=2066076&TypeFile=html>
APA
Баранова, Е. Р., Кобелев, Л. Я., Злоказов, В. Б.
, Мельникова, Н. В., Нугаева, Л. Л., & Воробьев, А. Л. (1996).
Резистивный материал: патент на изобретение. (Номер патента
2066076). Федеральный институт промышленной собственности.
https://www.fips.ru/registers-doc-view/fips_servlet?DB=RUPAT&DocNumber=2066076&TypeFile=htmlVancouver
Author
Баранова, Е. Р. (Изобретатель) ; Кобелев, Л. Я. (Изобретатель) ; Злоказов, В. Б. (Изобретатель) и др. /
Резистивный материал : патент на изобретение. Федеральный институт промышленной собственности. Номер патента: 2066076. авг. 27, 1996.
BibTeX
@misc{84bbb7719323443d8835e6b168f9c890,
title = "Резистивный материал: патент на изобретение",
abstract = "Использование: в микроэлектронной аппаратуре с малыми значениями токов и напряжений, где требуются переключения в течение небольших промежутков времени при 10 - 150oС. Это обеспечивается за счет добавления к халькогениду серебра селенида германия и селенида мышьяка и использования в качестве халькогенида серебра селенида серебра согласно эмпирической формуле (Ag2Se)x(GeSe)2(1-x)(AS2Se3)x, где 0,1?x?0,5. Материал обеспечивает интервал рабочих температур, уменьшение времени релаксации электросопротивления до 11 - 60 с, повышение величины электросопротивления до 103 - 105 Oм•м. 1 ил., 2 табл.",
author = "Баранова, {Е. Р.} and Кобелев, {Л. Я.} and Злоказов, {В. Б.} and Мельникова, {Нина Владимировна} and Нугаева, {Лариса Львовна} and Воробьев, {А. Л.}",
year = "1996",
month = aug,
day = "27",
language = "Русский",
publisher = "Федеральный институт промышленной собственности",
address = "Российская Федерация",
type = "Patent",
note = "2066076; H01C 7/00",
}
RIS
TY - PAT
T1 - Резистивный материал
T2 - патент на изобретение
AU - Баранова, Е. Р.
AU - Кобелев, Л. Я.
AU - Злоказов, В. Б.
AU - Мельникова, Нина Владимировна
AU - Нугаева, Лариса Львовна
AU - Воробьев, А. Л.
PY - 1996/8/27
Y1 - 1996/8/27
N2 - Использование: в микроэлектронной аппаратуре с малыми значениями токов и напряжений, где требуются переключения в течение небольших промежутков времени при 10 - 150oС. Это обеспечивается за счет добавления к халькогениду серебра селенида германия и селенида мышьяка и использования в качестве халькогенида серебра селенида серебра согласно эмпирической формуле (Ag2Se)x(GeSe)2(1-x)(AS2Se3)x, где 0,1?x?0,5. Материал обеспечивает интервал рабочих температур, уменьшение времени релаксации электросопротивления до 11 - 60 с, повышение величины электросопротивления до 103 - 105 Oм•м. 1 ил., 2 табл.
AB - Использование: в микроэлектронной аппаратуре с малыми значениями токов и напряжений, где требуются переключения в течение небольших промежутков времени при 10 - 150oС. Это обеспечивается за счет добавления к халькогениду серебра селенида германия и селенида мышьяка и использования в качестве халькогенида серебра селенида серебра согласно эмпирической формуле (Ag2Se)x(GeSe)2(1-x)(AS2Se3)x, где 0,1?x?0,5. Материал обеспечивает интервал рабочих температур, уменьшение времени релаксации электросопротивления до 11 - 60 с, повышение величины электросопротивления до 103 - 105 Oм•м. 1 ил., 2 табл.
UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=38043575
M3 - Патент
M1 - 2066076
Y2 - 1994/07/18
PB - Федеральный институт промышленной собственности
ER -
