1 - 10 из 17Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2023

  2. ПРОСТРАНСТВЕННАЯ НЕОДНОРОДНОСТЬ УДАРНО-ИОНИЗАЦИОННОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СИЛОВОГО КРЕМНИЕВОГО ДИОДА

    Любутин, С. К., Патраков, В. Е., РУКИН, С. Н., Словиковский, Б. Г. & Цыранов, С. Н., 2023, в: Физика и техника полупроводников. 57, 7, стр. 594-602 9 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  3. 2018

  4. Study of process of avalanche switching of silicon thyristors without bias voltage

    Perminova, O. E. & Tsyranov, S. N., 27 нояб. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 1115, 2, 022021.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Материалы конференции › Рецензирование

  5. Joint effect of temperature and voltage rise rate on the switching process of Si thyristors triggered in impact ionization wave mode

    Gusev, A., Rukin, S., Tsyranov, S., Perminova, O., Lyubutin, S. & Slovikovsky, B., нояб. 2018, в: Semiconductor Science and Technology. 33, 11, 10 стр., 115012.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  6. 2017

  7. Study of the voltage drop process for the case of high-power thyristors switched in the impact-ionization mode

    Gusev, A. I., Lyubutin, S. K., Rukin, S. N. & Tsyranov, S. N., мая 2017, в: Semiconductors. 51, 5, стр. 649-656 8 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  8. Исследование процесса спада напряжения при ударно-ионизационном переключении силовых тиристоров

    Гусев, А. И., Любутин, С. К., Рукин, С. Н. & Цыранов, С. Н., 2017, в: Физика и техника полупроводников. 51, 5, стр. 680-688 9 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  9. 2016

  10. Superfast Thyristor-Based Switches Operating in Impact-Ionization Wave Mode

    Gusev, A. I., Lyubutin, S. K., Rukin, S. N. & Tsyranov, S. N., 1 окт. 2016, в: IEEE Transactions on Plasma Science. 44, 10, стр. 1888-1893 6 стр., 7442873.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  11. High-Power Thyristor Switching via an Overvoltage Pulse with Nanosecond Rise Time

    Gusev, A. I., Lyubutin, S. K., Rukin, S. N. & Tsyranov, S. N., 1 мар. 2016, в: Semiconductors. 50, 3, стр. 394-403 10 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  12. ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛОВЫХ ТИРИСТОРОВ ИМПУЛЬСОМ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЯ С НАНОСЕКУНДНЫМ ФРОНТОМ

    Гусев, А. И., Любутин, С. К., РУКИН, С. Н. & Цыранов, С. Н., 2016, в: Физика и техника полупроводников. 50, 3, стр. 398-407 10 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  13. 2015

  14. A 6 GW nanosecond solid-state generator based on semiconductor opening switch

    Gusev, A. I., Pedos, M. S., Rukin, S. N., Timoshenkov, S. P. & Tsyranov, S. N., 1 нояб. 2015, в: Review of Scientific Instruments. 86, 11, 8 стр., 114706.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  15. 2014

  16. On the picosecond switching of a high-density current (60 kA/cm2) via a Si closing switch based on a superfast ionization front

    Gusev, A. I., Lyubutin, S. K., Rukin, S. N., Slovikovsky, B. G. & Tsyranov, S. N., авг. 2014, в: Semiconductors. 48, 8, стр. 1067-1078 12 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 95618