Quantum Hall effect andnanoheterostructures hopping conductivity in n-InGaAs/InAlAs › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1134/S1063782616120071
Конечная издательская версия

S. V. Gudina
Yu G. Arapov
A. P. Saveliev
V. N. Neverov
S. M. Podgornykh
N. G. Shelushinina
M. V. Yakunin
I. S. Vasil’evskii
A. N. Vinichenko

Язык оригинала	Английский
Страницы (с-по)	1641-1646
Число страниц	6
Журнал	Semiconductors
Том	50
Номер выпуска	12
DOI	https://doi.org/10.1134/S1063782616120071
Состояние	Опубликовано - 1 дек. 2016

Предметные области ASJC Scopus

Electronic, Optical and Magnetic Materials
Atomic and Molecular Physics, and Optics
Condensed Matter Physics

Уровень публикации

Перечень ВАК

Предметные области WoS

Физика, Конденсированных сред

ГРНТИ

29.00.00 ФИЗИКА

ID: 1462739