Electronic structure of the Si-C-N amorphous films › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1134/S1063783411090356
Конечная издательская версия

Язык оригинала	Английский
Страницы (с-по)	1806-1810
Число страниц	5
Журнал	Physics of the Solid State
Том	53
Номер выпуска	9
DOI	https://doi.org/10.1134/S1063783411090356
Состояние	Опубликовано - 1 сент. 2011

Предметные области WoS

Физика, Конденсированных сред

Предметные области ASJC Scopus

Electronic, Optical and Magnetic Materials
Condensed Matter Physics

ID: 8235538