Standard

МИКРОСТРУКТУРА ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ РАСПЛАВА МОНОКРИСТАЛЛОВ FEGE2 ПО ДАННЫМ ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ ПРОСВЕЧИВАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ. / Бункин, Александр Юрьевич; Колосов, Владимир Юрьевич; Папушина, Татьяна Ивановна.
в: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, № 10, 2017, стр. 44-47.

Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

Harvard

Бункин, АЮ, Колосов, ВЮ & Папушина, ТИ 2017, 'МИКРОСТРУКТУРА ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ РАСПЛАВА МОНОКРИСТАЛЛОВ FEGE2 ПО ДАННЫМ ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ ПРОСВЕЧИВАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ', Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, № 10, стр. 44-47. https://doi.org/10.7868/S0207352817100067

APA

Бункин, А. Ю., Колосов, В. Ю., & Папушина, Т. И. (2017). МИКРОСТРУКТУРА ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ РАСПЛАВА МОНОКРИСТАЛЛОВ FEGE2 ПО ДАННЫМ ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ ПРОСВЕЧИВАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, (10), 44-47. https://doi.org/10.7868/S0207352817100067

Vancouver

Бункин АЮ, Колосов ВЮ, Папушина ТИ. МИКРОСТРУКТУРА ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ РАСПЛАВА МОНОКРИСТАЛЛОВ FEGE2 ПО ДАННЫМ ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ ПРОСВЕЧИВАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2017;(10):44-47. doi: 10.7868/S0207352817100067

Author

Бункин, Александр Юрьевич ; Колосов, Владимир Юрьевич ; Папушина, Татьяна Ивановна. / МИКРОСТРУКТУРА ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ РАСПЛАВА МОНОКРИСТАЛЛОВ FEGE2 ПО ДАННЫМ ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ ПРОСВЕЧИВАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ. в: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2017 ; № 10. стр. 44-47.

BibTeX

@article{52600ebcfb5d43808694b2d81ea5dc87,
title = "МИКРОСТРУКТУРА ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ РАСПЛАВА МОНОКРИСТАЛЛОВ FEGE2 ПО ДАННЫМ ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ ПРОСВЕЧИВАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ",
abstract = "Приведены результаты исследования микроструктуры монокристаллов дигерманида железа FeGe2, выполненного методами просвечивающей электронной микроскопии и металлографии. Выявлены основные типы микродефектов: дислокации, залегающие в плотноупакованных плоскостях, дислокационные петли и дефекты упаковки. Охарактеризовано пространственное распределение дефектов, связанное с технологическими особенностями процесса выращивания кристаллов. Установлено, что плотность дислокаций не превышает 104 см-2 и остается приблизительно постоянной в широком диапазоне скоростей выращивания. Показано, что малые добавки примесей (Co, Al, Sn) практически не изменяют характер дислокационной структуры, и при соответствующей корректировке режимов выращивания можно получить кристаллы высокого структурного совершенства.",
author = "Бункин, {Александр Юрьевич} and Колосов, {Владимир Юрьевич} and Папушина, {Татьяна Ивановна}",
year = "2017",
doi = "10.7868/S0207352817100067",
language = "Русский",
pages = "44--47",
journal = "Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования",
issn = "1028-0960",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "10",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - МИКРОСТРУКТУРА ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ РАСПЛАВА МОНОКРИСТАЛЛОВ FEGE2 ПО ДАННЫМ ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ ПРОСВЕЧИВАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ

AU - Бункин, Александр Юрьевич

AU - Колосов, Владимир Юрьевич

AU - Папушина, Татьяна Ивановна

PY - 2017

Y1 - 2017

N2 - Приведены результаты исследования микроструктуры монокристаллов дигерманида железа FeGe2, выполненного методами просвечивающей электронной микроскопии и металлографии. Выявлены основные типы микродефектов: дислокации, залегающие в плотноупакованных плоскостях, дислокационные петли и дефекты упаковки. Охарактеризовано пространственное распределение дефектов, связанное с технологическими особенностями процесса выращивания кристаллов. Установлено, что плотность дислокаций не превышает 104 см-2 и остается приблизительно постоянной в широком диапазоне скоростей выращивания. Показано, что малые добавки примесей (Co, Al, Sn) практически не изменяют характер дислокационной структуры, и при соответствующей корректировке режимов выращивания можно получить кристаллы высокого структурного совершенства.

AB - Приведены результаты исследования микроструктуры монокристаллов дигерманида железа FeGe2, выполненного методами просвечивающей электронной микроскопии и металлографии. Выявлены основные типы микродефектов: дислокации, залегающие в плотноупакованных плоскостях, дислокационные петли и дефекты упаковки. Охарактеризовано пространственное распределение дефектов, связанное с технологическими особенностями процесса выращивания кристаллов. Установлено, что плотность дислокаций не превышает 104 см-2 и остается приблизительно постоянной в широком диапазоне скоростей выращивания. Показано, что малые добавки примесей (Co, Al, Sn) практически не изменяют характер дислокационной структуры, и при соответствующей корректировке режимов выращивания можно получить кристаллы высокого структурного совершенства.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=30276666

U2 - 10.7868/S0207352817100067

DO - 10.7868/S0207352817100067

M3 - Статья

SP - 44

EP - 47

JO - Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования

JF - Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования

SN - 1028-0960

IS - 10

ER -

ID: 6019179