Приведены результаты исследования микроструктуры монокристаллов дигерманида железа FeGe2, выполненного методами просвечивающей электронной микроскопии и металлографии. Выявлены основные типы микродефектов: дислокации, залегающие в плотноупакованных плоскостях, дислокационные петли и дефекты упаковки. Охарактеризовано пространственное распределение дефектов, связанное с технологическими особенностями процесса выращивания кристаллов. Установлено, что плотность дислокаций не превышает 104 см-2 и остается приблизительно постоянной в широком диапазоне скоростей выращивания. Показано, что малые добавки примесей (Co, Al, Sn) практически не изменяют характер дислокационной структуры, и при соответствующей корректировке режимов выращивания можно получить кристаллы высокого структурного совершенства.