ОСОБЕННОСТИ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ БУФЕРНЫХ СЛОЕВ CEO2 НА R-AL2O3 ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ОСАЖДЕНИЯ

Standard

ОСОБЕННОСТИ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ БУФЕРНЫХ СЛОЕВ CEO2 НА R-AL2O3 ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ОСАЖДЕНИЯ. / Носов, Александр Павлович; Дубинин, С. С.; Осотов, В. И.
в: Международный научно-исследовательский журнал, № 12-1 (90), 2019, стр. 26-29.

Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

BibTeX

@article{f48becd20b5c4e6c93db87dec2194c15,

title = "ОСОБЕННОСТИ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ БУФЕРНЫХ СЛОЕВ CEO2 НА R-AL2O3 ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ОСАЖДЕНИЯ",

abstract = "В работе представлены результаты структурных исследований буферных слоев CeO2 выращенных методом импульсного лазерного осаждения на монокристаллических подложках из r-Al2O3 ( ) при температуре подожки 750С. Экспериментально показано, что при изменении давления кислорода в процессе роста, в условиях сохранения неизменными остальных параметров роста, возможно получение буферных слоев с разной кристаллографической ориентацией: при давлении кислорода 0,002 мбар буферные слои имеют ориентацию (111), а при давлении кислорода 0,2 мбар (002). Полученные результаты могут представлять интерес для получения эпитаксиальных пленок и наногетероструктур со слоями из высокотемпературных сверхпроводников и допированных манганитов на монокристаллических подложках r-Al2O3 с буферными слоями из CeO2.",

author = "Носов, {Александр Павлович} and Дубинин, {С. С.} and Осотов, {В. И.}",

year = "2019",

doi = "10.23670/IRJ.2019.90.12.006",

language = "Русский",

pages = "26--29",

journal = "Международный научно-исследовательский журнал",

issn = "2303-9868",

publisher = "Индивидуальный предприниматель Соколова Марина Владимировна",

number = "12-1 (90)",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ОСОБЕННОСТИ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ БУФЕРНЫХ СЛОЕВ CEO2 НА R-AL2O3 ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ОСАЖДЕНИЯ

AU - Носов, Александр Павлович

AU - Дубинин, С. С.

AU - Осотов, В. И.

PY - 2019

Y1 - 2019

N2 - В работе представлены результаты структурных исследований буферных слоев CeO2 выращенных методом импульсного лазерного осаждения на монокристаллических подложках из r-Al2O3 ( ) при температуре подожки 750С. Экспериментально показано, что при изменении давления кислорода в процессе роста, в условиях сохранения неизменными остальных параметров роста, возможно получение буферных слоев с разной кристаллографической ориентацией: при давлении кислорода 0,002 мбар буферные слои имеют ориентацию (111), а при давлении кислорода 0,2 мбар (002). Полученные результаты могут представлять интерес для получения эпитаксиальных пленок и наногетероструктур со слоями из высокотемпературных сверхпроводников и допированных манганитов на монокристаллических подложках r-Al2O3 с буферными слоями из CeO2.

AB - В работе представлены результаты структурных исследований буферных слоев CeO2 выращенных методом импульсного лазерного осаждения на монокристаллических подложках из r-Al2O3 ( ) при температуре подожки 750С. Экспериментально показано, что при изменении давления кислорода в процессе роста, в условиях сохранения неизменными остальных параметров роста, возможно получение буферных слоев с разной кристаллографической ориентацией: при давлении кислорода 0,002 мбар буферные слои имеют ориентацию (111), а при давлении кислорода 0,2 мбар (002). Полученные результаты могут представлять интерес для получения эпитаксиальных пленок и наногетероструктур со слоями из высокотемпературных сверхпроводников и допированных манганитов на монокристаллических подложках r-Al2O3 с буферными слоями из CeO2.

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=41546983

U2 - 10.23670/IRJ.2019.90.12.006

DO - 10.23670/IRJ.2019.90.12.006

M3 - Статья

SP - 26

EP - 29

JO - Международный научно-исследовательский журнал

JF - Международный научно-исследовательский журнал

SN - 2303-9868

IS - 12-1 (90)

ER -

ID: 12458452