В работе представлены результаты структурных исследований буферных слоев CeO2 выращенных методом импульсного лазерного осаждения на монокристаллических подложках из r-Al2O3 ( ) при температуре подожки 750С. Экспериментально показано, что при изменении давления кислорода в процессе роста, в условиях сохранения неизменными остальных параметров роста, возможно получение буферных слоев с разной кристаллографической ориентацией: при давлении кислорода 0,002 мбар буферные слои имеют ориентацию (111), а при давлении кислорода 0,2 мбар (002). Полученные результаты могут представлять интерес для получения эпитаксиальных пленок и наногетероструктур со слоями из высокотемпературных сверхпроводников и допированных манганитов на монокристаллических подложках r-Al2O3 с буферными слоями из CeO2.