Standard

Структура и свойства двухфазных слоев CdxPb1-xS/CdS, полученных химическим осаждением из этилендиамин-цитратной системы. / Селянина, Анастасия Дмитриевна; Маскаева, Лариса Николаевна; Воронин, В. И. и др.
в: Физика и техника полупроводников, Том 56, № 4, 2022, стр. 408-419.

Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

Harvard

APA

Vancouver

Author

BibTeX

@article{d638c4c816ab416cb99d9e2520011c10,
title = "Структура и свойства двухфазных слоев CdxPb1-xS/CdS, полученных химическим осаждением из этилендиамин-цитратной системы",
abstract = "Химическим осаждением получены поликристаллические пленки твердых растворов замещения CdxPb1-xS (0≤ x≤ 0.05) с кубической структурой B1 (пространственная группа Fm3m), содержащие аморфный сульфид кадмия, а при достижении некоторой критической концентрации соли кадмия в реакторе две кристаллические фазы: твердый раствор замещения и кубический CdS со структурой B3 (пространственная группа F43m). Растровой электронной микроскопией установлены морфологические особенности, связанные с вторичным зарождением и образованием фазы сульфида кадмия, а полнопрофильным анализом рентгенограмм рассчитаны структурные характеристики пленок. Выявлена корреляция вольтовой и токовой фоточувствительности пленок CdxPb1-xS/CdS с их фазовым и элементным составом. Высказано предположение о роли индивидуальной фазы CdS в механизме фотопроводимости в пленках твердых растворов CdxPb1-xS.",
author = "Селянина, {Анастасия Дмитриевна} and Маскаева, {Лариса Николаевна} and Воронин, {В. И.} and Селянин, {Игорь Олегович} and Анохина, {Ирина Александровна} and Марков, {Вячеслав Филиппович}",
year = "2022",
doi = "10.21883/FTP.2022.04.52196.9783",
language = "Русский",
volume = "56",
pages = "408--419",
journal = "Физика и техника полупроводников",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "4",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Структура и свойства двухфазных слоев CdxPb1-xS/CdS, полученных химическим осаждением из этилендиамин-цитратной системы

AU - Селянина, Анастасия Дмитриевна

AU - Маскаева, Лариса Николаевна

AU - Воронин, В. И.

AU - Селянин, Игорь Олегович

AU - Анохина, Ирина Александровна

AU - Марков, Вячеслав Филиппович

PY - 2022

Y1 - 2022

N2 - Химическим осаждением получены поликристаллические пленки твердых растворов замещения CdxPb1-xS (0≤ x≤ 0.05) с кубической структурой B1 (пространственная группа Fm3m), содержащие аморфный сульфид кадмия, а при достижении некоторой критической концентрации соли кадмия в реакторе две кристаллические фазы: твердый раствор замещения и кубический CdS со структурой B3 (пространственная группа F43m). Растровой электронной микроскопией установлены морфологические особенности, связанные с вторичным зарождением и образованием фазы сульфида кадмия, а полнопрофильным анализом рентгенограмм рассчитаны структурные характеристики пленок. Выявлена корреляция вольтовой и токовой фоточувствительности пленок CdxPb1-xS/CdS с их фазовым и элементным составом. Высказано предположение о роли индивидуальной фазы CdS в механизме фотопроводимости в пленках твердых растворов CdxPb1-xS.

AB - Химическим осаждением получены поликристаллические пленки твердых растворов замещения CdxPb1-xS (0≤ x≤ 0.05) с кубической структурой B1 (пространственная группа Fm3m), содержащие аморфный сульфид кадмия, а при достижении некоторой критической концентрации соли кадмия в реакторе две кристаллические фазы: твердый раствор замещения и кубический CdS со структурой B3 (пространственная группа F43m). Растровой электронной микроскопией установлены морфологические особенности, связанные с вторичным зарождением и образованием фазы сульфида кадмия, а полнопрофильным анализом рентгенограмм рассчитаны структурные характеристики пленок. Выявлена корреляция вольтовой и токовой фоточувствительности пленок CdxPb1-xS/CdS с их фазовым и элементным составом. Высказано предположение о роли индивидуальной фазы CdS в механизме фотопроводимости в пленках твердых растворов CdxPb1-xS.

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=48411882

U2 - 10.21883/FTP.2022.04.52196.9783

DO - 10.21883/FTP.2022.04.52196.9783

M3 - Статья

VL - 56

SP - 408

EP - 419

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

IS - 4

ER -

ID: 30214040