Химическим осаждением получены поликристаллические пленки твердых растворов замещения CdxPb1-xS (0≤ x≤ 0.05) с кубической структурой B1 (пространственная группа Fm3m), содержащие аморфный сульфид кадмия, а при достижении некоторой критической концентрации соли кадмия в реакторе две кристаллические фазы: твердый раствор замещения и кубический CdS со структурой B3 (пространственная группа F43m). Растровой электронной микроскопией установлены морфологические особенности, связанные с вторичным зарождением и образованием фазы сульфида кадмия, а полнопрофильным анализом рентгенограмм рассчитаны структурные характеристики пленок. Выявлена корреляция вольтовой и токовой фоточувствительности пленок CdxPb1-xS/CdS с их фазовым и элементным составом. Высказано предположение о роли индивидуальной фазы CdS в механизме фотопроводимости в пленках твердых растворов CdxPb1-xS.