При исследовании кремниевого коммутатора с механизмом последовательного переключения диодных структур на основе сверхбыстрого фронта ионизации в коаксиальной линии с волновым сопротивлением 48 Ом получены импульсы с амплитудой более 100 кВ и фронтом 40 пс по уровню 0.3-0.9 от амплитуды. Максимальная скорость нарастания выходного напряжения достигает 2 МВ/нс при амплитудном значении плотности коммутируемого тока 60 кА/см2. Численное моделирование показало, что при скорости нарастания обратного напряжения на одну структуру >100 кВ/нс, реализованной в эксперименте, время коммутации единичных структур в приборе составляет 7-15 пс, а электрическое поле в p-n-переходе достигает порога зинеровского пробоя (~106 В/см) даже в том случае, когда структура диода содержит технологические примеси с глубокими уровнями ионизации с концентрацией до 1013 см-3.