Standard

СОСТАВ, СТРУКТУРА, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВОЙСТВА ХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ПЛЕНОК SNSE. / Маскаева, Лариса Николаевна; Федорова, Екатерина Алексеевна; Марков, Вячеслав Филиппович и др.
в: Физика и техника полупроводников, Том 53, № 6, 2019, стр. 865-871.

Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

Harvard

Маскаева, ЛН, Федорова, ЕА, Марков, ВФ, Кузнецов, МВ & Липина, ОА 2019, 'СОСТАВ, СТРУКТУРА, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВОЙСТВА ХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ПЛЕНОК SNSE', Физика и техника полупроводников, Том. 53, № 6, стр. 865-871. https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47744.9058

APA

Маскаева, Л. Н., Федорова, Е. А., Марков, В. Ф., Кузнецов, М. В., & Липина, О. А. (2019). СОСТАВ, СТРУКТУРА, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВОЙСТВА ХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ПЛЕНОК SNSE. Физика и техника полупроводников, 53(6), 865-871. https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47744.9058

Vancouver

Маскаева ЛН, Федорова ЕА, Марков ВФ, Кузнецов МВ, Липина ОА. СОСТАВ, СТРУКТУРА, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВОЙСТВА ХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ПЛЕНОК SNSE. Физика и техника полупроводников. 2019;53(6):865-871. doi: 10.21883/FTP.2019.06.47744.9058

Author

Маскаева, Лариса Николаевна ; Федорова, Екатерина Алексеевна ; Марков, Вячеслав Филиппович и др. / СОСТАВ, СТРУКТУРА, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВОЙСТВА ХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ПЛЕНОК SNSE. в: Физика и техника полупроводников. 2019 ; Том 53, № 6. стр. 865-871.

BibTeX

@article{f3a9101229174e84a18521c3d715eb6f,
title = "СОСТАВ, СТРУКТУРА, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВОЙСТВА ХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ПЛЕНОК SNSE",
abstract = "Гидрохимическим осаждением из трилонатной реакционной смеси получены высокоадгезионные слои моноселенида олова (SnSe) толщиной до (200±10) нм. Рентгеновской дифракцией установлено, что синтезированные пленки кристаллизуются в орторомбической сингонии (пр. гр. Pnma). Присутствие в поверхностных слоях пленок значительного количества кислорода объясняется частичным окислением образцов с формированием фазы SnO2. Результаты ионного травления на глубину до 18 нм показали резкое снижение содержания кислорода по толщине и фактическое соответствие их элементному составу SnSe. Установленная по результатам оптических исследований ширина запрещенной зоны для прямых переходов составила 1.69 эВ. Синтезированные слои SnSe имеют характерный для этого материала дырочный тип проводимости.",
author = "Маскаева, {Лариса Николаевна} and Федорова, {Екатерина Алексеевна} and Марков, {Вячеслав Филиппович} and Кузнецов, {М. В.} and Липина, {Ольга Андреевна}",
year = "2019",
doi = "10.21883/FTP.2019.06.47744.9058",
language = "Русский",
volume = "53",
pages = "865--871",
journal = "Физика и техника полупроводников",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "6",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - СОСТАВ, СТРУКТУРА, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВОЙСТВА ХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ПЛЕНОК SNSE

AU - Маскаева, Лариса Николаевна

AU - Федорова, Екатерина Алексеевна

AU - Марков, Вячеслав Филиппович

AU - Кузнецов, М. В.

AU - Липина, Ольга Андреевна

PY - 2019

Y1 - 2019

N2 - Гидрохимическим осаждением из трилонатной реакционной смеси получены высокоадгезионные слои моноселенида олова (SnSe) толщиной до (200±10) нм. Рентгеновской дифракцией установлено, что синтезированные пленки кристаллизуются в орторомбической сингонии (пр. гр. Pnma). Присутствие в поверхностных слоях пленок значительного количества кислорода объясняется частичным окислением образцов с формированием фазы SnO2. Результаты ионного травления на глубину до 18 нм показали резкое снижение содержания кислорода по толщине и фактическое соответствие их элементному составу SnSe. Установленная по результатам оптических исследований ширина запрещенной зоны для прямых переходов составила 1.69 эВ. Синтезированные слои SnSe имеют характерный для этого материала дырочный тип проводимости.

AB - Гидрохимическим осаждением из трилонатной реакционной смеси получены высокоадгезионные слои моноселенида олова (SnSe) толщиной до (200±10) нм. Рентгеновской дифракцией установлено, что синтезированные пленки кристаллизуются в орторомбической сингонии (пр. гр. Pnma). Присутствие в поверхностных слоях пленок значительного количества кислорода объясняется частичным окислением образцов с формированием фазы SnO2. Результаты ионного травления на глубину до 18 нм показали резкое снижение содержания кислорода по толщине и фактическое соответствие их элементному составу SnSe. Установленная по результатам оптических исследований ширина запрещенной зоны для прямых переходов составила 1.69 эВ. Синтезированные слои SnSe имеют характерный для этого материала дырочный тип проводимости.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=39133305

U2 - 10.21883/FTP.2019.06.47744.9058

DO - 10.21883/FTP.2019.06.47744.9058

M3 - Статья

VL - 53

SP - 865

EP - 871

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

IS - 6

ER -

ID: 10517858