Микроструктуры в виде меандров широко применяются в качестве элементов магниторезистивных и магнитоимпедансных (МИ) датчиков. В данной работе для структур типа «микрополосковая линия» и меандры N-образной формы, приготовленных из аморфной ленты CoFeNiSiB, исследован МИ-эффект в продольной (LMI) и поперечной (TMI) конфигурациях. LMI-эффект достигает 180%, что значительно выше, чем в случае лент таких же размеров (5 мм) без микроструктурирования.