Standard

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ГИДРОХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ПЛЕНОК ТВЕРДОГО РАСТВОРА PB0.902SN0.098SE. / Мухамедзянов, Хафиз Науфалевич; Марков, Вячеслав Филиппович; Маскаева, Лариса Николаевна.
в: Физика и техника полупроводников, Том 47, № 4, 2013, стр. 551-556.

Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

Harvard

Мухамедзянов, ХН, Марков, ВФ & Маскаева, ЛН 2013, 'ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ГИДРОХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ПЛЕНОК ТВЕРДОГО РАСТВОРА PB0.902SN0.098SE', Физика и техника полупроводников, Том. 47, № 4, стр. 551-556.

APA

Мухамедзянов, Х. Н., Марков, В. Ф., & Маскаева, Л. Н. (2013). ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ГИДРОХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ПЛЕНОК ТВЕРДОГО РАСТВОРА PB0.902SN0.098SE. Физика и техника полупроводников, 47(4), 551-556.

Vancouver

Мухамедзянов ХН, Марков ВФ, Маскаева ЛН. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ГИДРОХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ПЛЕНОК ТВЕРДОГО РАСТВОРА PB0.902SN0.098SE. Физика и техника полупроводников. 2013;47(4):551-556.

Author

Мухамедзянов, Хафиз Науфалевич ; Марков, Вячеслав Филиппович ; Маскаева, Лариса Николаевна. / ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ГИДРОХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ПЛЕНОК ТВЕРДОГО РАСТВОРА PB0.902SN0.098SE. в: Физика и техника полупроводников. 2013 ; Том 47, № 4. стр. 551-556.

BibTeX

@article{102af489c6384b309b57f1930c0a0a60,
title = "ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ГИДРОХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ПЛЕНОК ТВЕРДОГО РАСТВОРА PB0.902SN0.098SE",
abstract = "Разработаны экспериментальные образцы фоторезисторов на основе полупроводниковой пленки твердого раствора Pb0.902Sn0.098Se, полученной по технологии послойного осаждения индивидуальных селенидов свинца и олова (II) с последующей термоактивацией. Исследованы структура и морфология тонкопленочных композиций (SnSe-PbSe)2. Изучены температурные зависимости темнового сопротивления, сигнала, шумов и их соотношения, а также частотные и спектральные характеристики фоторезисторов, изготовленных на основе пленок Pb0.902Sn0.098Se, в диапазоне 205-300 K. Определены оптимальные значения напряжения смещения. Показано, что для фоторезисторов на основе Pb0.902Sn0.098Se положение максимума и правой границы фотоответа сдвигается по сравнению с PbSe в длинноволновую область спектра на 0.7 мкм. Полученное при 230 K максимальное значение обнаружительной способности исследованных фоторезисторов (2.0x2.0 мм) составило 9·109 см·Вт-1Гц1/2. Показаны преимущества использования фоторезисторов на основе пленок Pb0.902Sn0.098Se по сравнению с PbSe в спектральном диапазоне 3.0-5.5 мкм.",
author = "Мухамедзянов, {Хафиз Науфалевич} and Марков, {Вячеслав Филиппович} and Маскаева, {Лариса Николаевна}",
year = "2013",
language = "Русский",
volume = "47",
pages = "551--556",
journal = "Физика и техника полупроводников",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "4",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ГИДРОХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ПЛЕНОК ТВЕРДОГО РАСТВОРА PB0.902SN0.098SE

AU - Мухамедзянов, Хафиз Науфалевич

AU - Марков, Вячеслав Филиппович

AU - Маскаева, Лариса Николаевна

PY - 2013

Y1 - 2013

N2 - Разработаны экспериментальные образцы фоторезисторов на основе полупроводниковой пленки твердого раствора Pb0.902Sn0.098Se, полученной по технологии послойного осаждения индивидуальных селенидов свинца и олова (II) с последующей термоактивацией. Исследованы структура и морфология тонкопленочных композиций (SnSe-PbSe)2. Изучены температурные зависимости темнового сопротивления, сигнала, шумов и их соотношения, а также частотные и спектральные характеристики фоторезисторов, изготовленных на основе пленок Pb0.902Sn0.098Se, в диапазоне 205-300 K. Определены оптимальные значения напряжения смещения. Показано, что для фоторезисторов на основе Pb0.902Sn0.098Se положение максимума и правой границы фотоответа сдвигается по сравнению с PbSe в длинноволновую область спектра на 0.7 мкм. Полученное при 230 K максимальное значение обнаружительной способности исследованных фоторезисторов (2.0x2.0 мм) составило 9·109 см·Вт-1Гц1/2. Показаны преимущества использования фоторезисторов на основе пленок Pb0.902Sn0.098Se по сравнению с PbSe в спектральном диапазоне 3.0-5.5 мкм.

AB - Разработаны экспериментальные образцы фоторезисторов на основе полупроводниковой пленки твердого раствора Pb0.902Sn0.098Se, полученной по технологии послойного осаждения индивидуальных селенидов свинца и олова (II) с последующей термоактивацией. Исследованы структура и морфология тонкопленочных композиций (SnSe-PbSe)2. Изучены температурные зависимости темнового сопротивления, сигнала, шумов и их соотношения, а также частотные и спектральные характеристики фоторезисторов, изготовленных на основе пленок Pb0.902Sn0.098Se, в диапазоне 205-300 K. Определены оптимальные значения напряжения смещения. Показано, что для фоторезисторов на основе Pb0.902Sn0.098Se положение максимума и правой границы фотоответа сдвигается по сравнению с PbSe в длинноволновую область спектра на 0.7 мкм. Полученное при 230 K максимальное значение обнаружительной способности исследованных фоторезисторов (2.0x2.0 мм) составило 9·109 см·Вт-1Гц1/2. Показаны преимущества использования фоторезисторов на основе пленок Pb0.902Sn0.098Se по сравнению с PbSe в спектральном диапазоне 3.0-5.5 мкм.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=20319423

M3 - Статья

VL - 47

SP - 551

EP - 556

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

IS - 4

ER -

ID: 8207283