Разработаны экспериментальные образцы фоторезисторов на основе полупроводниковой пленки твердого раствора Pb0.902Sn0.098Se, полученной по технологии послойного осаждения индивидуальных селенидов свинца и олова (II) с последующей термоактивацией. Исследованы структура и морфология тонкопленочных композиций (SnSe-PbSe)2. Изучены температурные зависимости темнового сопротивления, сигнала, шумов и их соотношения, а также частотные и спектральные характеристики фоторезисторов, изготовленных на основе пленок Pb0.902Sn0.098Se, в диапазоне 205-300 K. Определены оптимальные значения напряжения смещения. Показано, что для фоторезисторов на основе Pb0.902Sn0.098Se положение максимума и правой границы фотоответа сдвигается по сравнению с PbSe в длинноволновую область спектра на 0.7 мкм. Полученное при 230 K максимальное значение обнаружительной способности исследованных фоторезисторов (2.0x2.0 мм) составило 9·109 см·Вт-1Гц1/2. Показаны преимущества использования фоторезисторов на основе пленок Pb0.902Sn0.098Se по сравнению с PbSe в спектральном диапазоне 3.0-5.5 мкм.