Standard

Harvard

APA

Vancouver

Author

BibTeX

@article{7f02c10c863245399b6a4cae8bfa5d8d,
title = "МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАРЯЖЕНИЯ И КИНЕТИКИ ПОСЛЕСВЕЧЕНИЯ НАНОСТРУКТУРНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ НАНОСЕКУНДНЫМ ЭЛЕКТРОННЫМ ПУЧКОМ",
abstract = "Усовершенствована физическая модель, разработаны алгоритм и программа расчетов параметров заряжения в наноструктурных диэлектриках при облучении наносекундными импульсами электронов. Получено распределение объемной плотности заряда и напряженности электрического поля по глубине наноразмерного α-Al 2O 3 в сравнении с монокристаллом. Произведена оценка влияния заряжения поверхности диэлектриков на время послесвечения рекомбинационной люминесценции.",
author = "Штанг, {Татьяна Владимировна} and Кортов, {Сергей Всеволодович} and Звонарев, {Сергей Владимирович}",
year = "2014",
language = "Русский",
volume = "57",
pages = "227--231",
journal = "Известия вузов. Физика",
issn = "0021-3411",
publisher = "Национальный исследовательский Томский государственный университет",
number = "12-3",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАРЯЖЕНИЯ И КИНЕТИКИ ПОСЛЕСВЕЧЕНИЯ НАНОСТРУКТУРНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ НАНОСЕКУНДНЫМ ЭЛЕКТРОННЫМ ПУЧКОМ

AU - Штанг, Татьяна Владимировна

AU - Кортов, Сергей Всеволодович

AU - Звонарев, Сергей Владимирович

PY - 2014

Y1 - 2014

N2 - Усовершенствована физическая модель, разработаны алгоритм и программа расчетов параметров заряжения в наноструктурных диэлектриках при облучении наносекундными импульсами электронов. Получено распределение объемной плотности заряда и напряженности электрического поля по глубине наноразмерного α-Al 2O 3 в сравнении с монокристаллом. Произведена оценка влияния заряжения поверхности диэлектриков на время послесвечения рекомбинационной люминесценции.

AB - Усовершенствована физическая модель, разработаны алгоритм и программа расчетов параметров заряжения в наноструктурных диэлектриках при облучении наносекундными импульсами электронов. Получено распределение объемной плотности заряда и напряженности электрического поля по глубине наноразмерного α-Al 2O 3 в сравнении с монокристаллом. Произведена оценка влияния заряжения поверхности диэлектриков на время послесвечения рекомбинационной люминесценции.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=23815788

M3 - Статья

VL - 57

SP - 227

EP - 231

JO - Известия вузов. Физика

JF - Известия вузов. Физика

SN - 0021-3411

IS - 12-3

ER -

ID: 6105924