Усовершенствована физическая модель, разработаны алгоритм и программа расчетов параметров заряжения в наноструктурных диэлектриках при облучении наносекундными импульсами электронов. Получено распределение объемной плотности заряда и напряженности электрического поля по глубине наноразмерного α-Al 2O 3 в сравнении с монокристаллом. Произведена оценка влияния заряжения поверхности диэлектриков на время послесвечения рекомбинационной люминесценции.