Исследован механизм работы полупроводникового прерывателя тока (SOS-диода) при плотности обрываемого тока в десятки кА/см2. В эксперименте максимальная плотность обратного тока достигала 43 кА/см2 за время ~40 нс. Приведены экспериментальные данные для SOS-диодов со структурой p+-p-n-n+ с глубиной залегания p-n-перехода от 145 до 180 мкм. Методами численного моделирования исследованы процессы динамики электронно-дырочной плазмы в диоде на стадиях накачки и обрыва тока. Показано, что обрыв тока связан с образованием области сильного электрического поля в тонком (~45 мкм) слое высоколегированной p-области структуры, в котором концентрация акцепторов превышает 1016 см-3, а процесс обрыва тока слабо зависит от глубины залегания p-n-перехода.