1 - 20 из 24Размер страницы: 20
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2013

  2. Strong magnetic field effect on over-the-barrier transport in Pb-p-Hg1-xCdxTe Schottky barriers

    Radantsev, V. F. & Zavyalov, V. V., мар. 2013, в: Semiconductor Science and Technology. 28, 3, 10 стр., 035004.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  3. 2010

  4. Electrical and morphological properties of CdTe films synthesized by the method of molecular deposition

    Mayorov, V. A., Yafaysov, A. M., Bogevolnov, V. B. & Radanstev, V. F., 2010, в: Semiconductors. 44, 5, стр. 564-567 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  5. 2007

  6. Bichkov-rashba spin-orbit splitting in kinetic binding regime in HgCdTe accumulation layers

    Radantsev, V. F. & Kruzhaev, V. V., 1 июн. 2007, в: International Journal of Nanoscience. 6, 3-4, стр. 301-304 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  7. 2006

  8. Rashba splitting of kinetically bound states in gated HgCdTe surface quantum wells

    Radantsev, V. F. & Kruzhaev, V. V., 1 авг. 2006, в: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 34, 1-2, стр. 340-343 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  9. 2004

  10. Kinetic confinement and zero-electric-field binding in HgCdTe accumulation layers

    Radantsev, V. F., Kruzhaev, V. V. & Kulaev, G. I., 30 нояб. 2004, в: International Journal of Modern Physics B. 18, 27-29, стр. 3637-3640 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  11. Rashba polarization in HgCdTe inversion layers at large depletion charges

    Radantsev, V. F., Kruzhaev, V. V. & Kulaev, G. I., 1 янв. 2004, в: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 20, 3-4, стр. 396-399 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Материалы конференции › Рецензирование

  12. 2003

  13. Rashba effect in inversion and accumulation InAs layers

    Radantsev, V. F., Ivankiv, I. M. & Yafyasov, A. M., 1 февр. 2003, в: Semiconductors. 37, 2, стр. 200-206 7 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  14. Rashba splitting in MIS structures based on narrow gap semiconductors: Positive and negative gap

    Radantsev, V. F., 1 янв. 2003, в: Journal of Superconductivity: Incorporating Novel Magnetism. 16, 4, стр. 635-645 11 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  15. Bychkov-Rashba splitting in inversion layers on heavily-doped p-HgCdTe

    Radantsev, V. F., Kulaev, G. I. & Kruzhaev, V. V., 2003, International Journal of Nanoscience, Vol 2, No 6. Suris, RA. (ред.). World Scientific Publishing Co., стр. 419-425 7 стр. (International Journal of Nanoscience Series; том 2).

    Результаты исследований: Глава в книге, отчете, сборнике статей › Материалы конференции › Рецензирование

  16. 2002

  17. Determination of the matrix element of the quasi-momentum operator in the zero-gap semiconductor HgSe by the field-effect method in electrolyte

    Shevchenko, O. Y., Radantsev, V., Yafyasov, A., Bozhevol’nov, V. B., Ivankiv, I. & Perepelkin, A. D., 2002, в: Semiconductors. 36, 4, стр. 390-393 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  18. Rashba splitting in MIS structures HgCdTe

    Radantsev, V. & Yafyasov, A., 2002, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 95, 3, стр. 491-501 11 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  19. 2001

  20. Zero-field spin splitting in HgTe surface quantum well

    Radantsev, V., Yafyasov, A., Bogevolnov, V., Ivankiv, I. & Shevchenko, O., 1 июн. 2001, в: Surface Science. 482-485, стр. 989-993 5 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  21. Exchange and spin-orbit effects in inversion layers on the gapless semimagnetic semiconductor HgMnTe

    Radantsev, V., Yafyasov, A. & Bogevolnov, V., 1 мая 2001, в: Semiconductor Science and Technology. 16, 5, стр. 320-330 11 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  22. Spin-orbit splitting in the HgTe surface quantum well

    Radantsev, V., Yafyasov, A. M., Bogevolnov, V. & Ivankiv, I. M., 2001, в: Journal of Physics Condensed Matter. 13, 5, стр. 851-858 8 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  23. Two-dimensional electron gas in semimagnetic semiconductor HgMnTe with inverted bands

    Bogevolnov, V., Ivankiv, I., Yafyasov, A. & Radantsev, V., 2001, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 92, 1, стр. 135-145 11 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  24. Two-dimensional electron gas in semimagnetic semiconductor HgMnTe with inverted bands

    Bogevolnov, V., Ivankiv, I., Yafyasov, A. & Radantsev, V., 2001, в: Журнал экспериментальной и теоретической физики. 119, 1, стр. 154-165 12 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  25. 1999

  26. Spin effects in the magneto-oscillations of the capacitance of a two-dimensional gas of semiconductors with Kane and Dirac spectra

    Radantsev, V. F., 1 мар. 1999, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 88, 3, стр. 552-560 9 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  27. 1996

  28. Pseudoultrarelativistic behavior and specification of spinlike effects in the two-dimensional electron gas in Kane semiconductors with direct and inverted band structure

    Radantsev, V. F., Deryabina, T. I., Kulaev, G. I. & Rumyantsev, E. L., 1996, в: Physical Review B. 53, 23, стр. 15756-15766 11 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  29. 1994

  30. Tunnelling in Pb-p-HgCdTe Schottky barriers in longitudinal and transverse magnetic fields

    Zav'ialov, V. V. & Radantsev, V. F., 1 мар. 1994, в: Semiconductor Science and Technology. 9, 3, стр. 281-288 8 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  31. 1993

  32. Stationary character of 2D states in inversion and accumulation layers on zero-gap HgCdTe

    Radantsev, V. F., 1 мар. 1993, в: Semiconductor Science and Technology. 8, 3, стр. 394-398 5 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 57128