Exchange and spin-orbit effects in inversion layers on the gapless semimagnetic semiconductor HgMnTe

Язык оригинала	Английский
Страницы (с-по)	320-330
Число страниц	11
Журнал	Semiconductor Science and Technology
Том	16
Номер выпуска	5
DOI	https://doi.org/10.1088/0268-1242/16/5/308
Состояние	Опубликовано - 1 мая 2001

ID: 44110567