1 - 10 из 22Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2013

  2. Strong magnetic field effect on over-the-barrier transport in Pb-p-Hg1-xCdxTe Schottky barriers

    Radantsev, V. F. & Zavyalov, V. V., мар. 2013, в: Semiconductor Science and Technology. 28, 3, 10 стр., 035004.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  3. 2010

  4. Electrical and morphological properties of CdTe films synthesized by the method of molecular deposition

    Mayorov, V. A., Yafaysov, A. M., Bogevolnov, V. B. & Radanstev, V. F., 2010, в: Semiconductors. 44, 5, стр. 564-567 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  5. 2007

  6. Bichkov-rashba spin-orbit splitting in kinetic binding regime in HgCdTe accumulation layers

    Radantsev, V. F. & Kruzhaev, V. V., 1 июн. 2007, в: International Journal of Nanoscience. 6, 3-4, стр. 301-304 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  7. 2006

  8. Rashba splitting of kinetically bound states in gated HgCdTe surface quantum wells

    Radantsev, V. F. & Kruzhaev, V. V., 1 авг. 2006, в: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 34, 1-2, стр. 340-343 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  9. 2004

  10. Kinetic confinement and zero-electric-field binding in HgCdTe accumulation layers

    Radantsev, V. F., Kruzhaev, V. V. & Kulaev, G. I., 30 нояб. 2004, в: International Journal of Modern Physics B. 18, 27-29, стр. 3637-3640 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  11. Rashba polarization in HgCdTe inversion layers at large depletion charges

    Radantsev, V. F., Kruzhaev, V. V. & Kulaev, G. I., 1 янв. 2004, в: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 20, 3-4, стр. 396-399 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Материалы конференции › Рецензирование

  12. 2003

  13. Rashba effect in inversion and accumulation InAs layers

    Radantsev, V. F., Ivankiv, I. M. & Yafyasov, A. M., 1 февр. 2003, в: Semiconductors. 37, 2, стр. 200-206 7 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  14. Rashba splitting in MIS structures based on narrow gap semiconductors: Positive and negative gap

    Radantsev, V. F., 1 янв. 2003, в: Journal of Superconductivity: Incorporating Novel Magnetism. 16, 4, стр. 635-645 11 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  15. Bychkov-Rashba splitting in inversion layers on heavily-doped p-HgCdTe

    Radantsev, V. F., Kulaev, G. I. & Kruzhaev, V. V., 2003, International Journal of Nanoscience, Vol 2, No 6. Suris, RA. (ред.). World Scientific Publishing Co., стр. 419-425 7 стр. (International Journal of Nanoscience Series; том 2).

    Результаты исследований: Глава в книге, отчете, сборнике статей › Материалы конференции › Рецензирование

  16. 2002

  17. Determination of the matrix element of the quasi-momentum operator in the zero-gap semiconductor HgSe by the field-effect method in electrolyte

    Shevchenko, O. Y., Radantsev, V., Yafyasov, A., Bozhevol’nov, V. B., Ivankiv, I. & Perepelkin, A. D., 2002, в: Semiconductors. 36, 4, стр. 390-393 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 Далее

ID: 57128