1 - 10 из 22Размер страницы: 10
Сортировать по:: Тип
  1. Статья › Научно-исследовательская › Прошло рецензирование

  2. Bichkov-rashba spin-orbit splitting in kinetic binding regime in HgCdTe accumulation layers

    Radantsev, V. F. & Kruzhaev, V. V., 1 июн. 2007, в: International Journal of Nanoscience. 6, 3-4, стр. 301-304 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  3. Determination of the matrix element of the quasi-momentum operator in the zero-gap semiconductor HgSe by the field-effect method in electrolyte

    Shevchenko, O. Y., Radantsev, V., Yafyasov, A., Bozhevol’nov, V. B., Ivankiv, I. & Perepelkin, A. D., 2002, в: Semiconductors. 36, 4, стр. 390-393 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  4. Electrical and morphological properties of CdTe films synthesized by the method of molecular deposition

    Mayorov, V. A., Yafaysov, A. M., Bogevolnov, V. B. & Radanstev, V. F., 2010, в: Semiconductors. 44, 5, стр. 564-567 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  5. Exchange and spin-orbit effects in inversion layers on the gapless semimagnetic semiconductor HgMnTe

    Radantsev, V., Yafyasov, A. & Bogevolnov, V., 1 мая 2001, в: Semiconductor Science and Technology. 16, 5, стр. 320-330 11 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  6. Kinetic confinement and zero-electric-field binding in HgCdTe accumulation layers

    Radantsev, V. F., Kruzhaev, V. V. & Kulaev, G. I., 30 нояб. 2004, в: International Journal of Modern Physics B. 18, 27-29, стр. 3637-3640 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  7. PARAMETERS OF SPIN-ORBIT INTERACTION IN THE TWO-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS IN LAYERS NEAR THE SURFACE IN NG1-XCDXTE

    Radantsev, V. F., 1989, в: Журнал экспериментальной и теоретической физики. 96, 5, стр. 1793-1800 8 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  8. Pseudoultrarelativistic behavior and specification of spinlike effects in the two-dimensional electron gas in Kane semiconductors with direct and inverted band structure

    Radantsev, V. F., Deryabina, T. I., Kulaev, G. I. & Rumyantsev, E. L., 1996, в: Physical Review B. 53, 23, стр. 15756-15766 11 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  9. Rashba effect in inversion and accumulation InAs layers

    Radantsev, V. F., Ivankiv, I. M. & Yafyasov, A. M., 1 февр. 2003, в: Semiconductors. 37, 2, стр. 200-206 7 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  10. Rashba splitting in MIS structures based on narrow gap semiconductors: Positive and negative gap

    Radantsev, V. F., 1 янв. 2003, в: Journal of Superconductivity: Incorporating Novel Magnetism. 16, 4, стр. 635-645 11 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  11. Rashba splitting in MIS structures HgCdTe

    Radantsev, V. & Yafyasov, A., 2002, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 95, 3, стр. 491-501 11 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 Далее

ID: 57128