1 - 9 из 9Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2014

  2. Резистивный материал: патент на изобретение

    Мельникова, Н. В., Хейфец, О. Л., Бабушкин, А. Н., Филиппов, А. Л. & Курочка, К. В., 20 нояб. 2014, IPC № H01C 7/00, C01B 19/00, Федеральный институт промышленной собственности, Патент № 2533551, 23 июл. 2013, № заявки 2013134615/04

    Результаты исследований: Патент

  3. Electrical properties of Cu1-x Ag x GeAsSe 3 (x = 0.55-0.65) at low temperatures and high pressures

    Kheifets, O. L., Melnikova, N. V., Pinigina, K. S. & Filippov, A. L., 1 янв. 2014, в: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 78, 1, стр. 76-79 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  4. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА CU1 - XAGXGEASSE3 (Х = 0.55–0.65) ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ И ВЫСОКИХ ДАВЛЕНИЯХ

    Хейфец, О. Л., Мельникова, Н. В., Пинигина, К. С. & Филиппов, А. Л., 2014, в: Известия Российской академии наук. Серия физическая. 78, 1, стр. 124-127

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  5. 2012

  6. Influence of the composition on electrical properties of low-temperature ionic conductors in the Cu1-x Ag (x) GeAsSe3 system

    Kheifets, O. L., Mel'nikova, N. V., Filippov, A. L., Shakirov, E. F., Babushkin, A. N. & Nugaeva, L. L., авг. 2012, в: Physics of the Solid State. 54, 8, стр. 1562-1565 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  7. Influence of the composition on the electrical properties of amorphous chalcogenides AgGe1+x As1-x S-3

    Kheifets, O. L., Shakirov, E. F., Melnikova, N. V., Filippov, A. L. & Nugaeva, L. L., июл. 2012, в: Semiconductors. 46, 7, стр. 943-947 5 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  8. Electric properties of Cu-Ag-Ge-As-Se ionic conductors at high pressures

    Kheifets, O. L., Filippov, A. L., Melnikova, N. V. & Babushkin, A. N., мар. 2012, в: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 76, 3, стр. 385-388 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  9. ВЛИЯНИЕ СОСТАВА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АМОРФНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ AGGE1+XAS1-XS3

    Хейфец, О. Л., Шакиров, Э. Ф., Мельникова, Н. В., Филиппов, А. Л. & Нугаева, Л. Л., 2012, в: Физика и техника полупроводников. 46, 7, стр. 966-970

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  10. ВЛИЯНИЕ СОСТАВА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ИОННЫХ ПРОВОДНИКОВ В СИСТЕМЕ CU1-XAGXGEASSE3

    Хейфец, О. Л., Мельникова, Н. В., Филиппов, А. Л., Шакиров, Э. Ф., Бабушкин, А. Н. & Нугаева, Л. Л., 2012, в: Физика твердого тела. 54, 8

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  11. ЭЛЕКТРИЧЕCКИЕ СВОЙСТВА ИОННЫХ ПРОВОДНИКОВ СИСТЕМЫ CU–AG–GE–AS–SE ПРИ ВЫСОКИХ ДАВЛЕНИЯХ

    Хейфец, О. Л., Филиппов, А. Л., Мельникова, Н. В. & Бабушкин, А. Н., 2012, в: Известия Российской академии наук. Серия физическая. 76, 3, стр. 437

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

ID: 67456