Работа посвящена синтезу и исследованию электрических свойств халькогенидов Cu1 - хAgхGeAsSe3 (х = 0.55–0.65) при температурах 78–400 К и давлениях 15–45 ГПа. Обнаружено, что соединения являются смешанными электронно-ионными проводниками. Увеличение доли серебра приводит к увеличению проводимости и смещению области существенных изменений электрических свойств при высоких давлениях в сторону более высоких давлений.