Formation of resistive properties of two-phase semiconductor-metal systems based on FeSi1+x with small deviations from stoichiometry › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1134/1.1395126
Конечная издательская версия

Язык оригинала	Английский
Страницы (с-по)	1037-1039
Число страниц	3
Журнал	Technical Physics
Том	46
Номер выпуска	8
DOI	https://doi.org/10.1134/1.1395126
Состояние	Опубликовано - авг. 2001

Предметные области ASJC Scopus

Physics and Astronomy (miscellaneous)

Предметные области WoS

Физика, Прикладная

ID: 30294070