Standard

ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ IN2(MOO4)3 И КОМПОЗИТОВ СОСТАВА (1 – Х)IN2(MOO4)3–ХMOO3. / Пестерева, Наталья Николаевна; Гусева, Анна Федоровна; Дале, Я. А.
в: Электрохимия, Том 57, № 8, 2021, стр. 449-456.

Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

Harvard

Пестерева, НН, Гусева, АФ & Дале, ЯА 2021, 'ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ IN2(MOO4)3 И КОМПОЗИТОВ СОСТАВА (1 – Х)IN2(MOO4)3–ХMOO3', Электрохимия, Том. 57, № 8, стр. 449-456. https://doi.org/10.31857/S0424857021080090

APA

Пестерева, Н. Н., Гусева, А. Ф., & Дале, Я. А. (2021). ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ IN2(MOO4)3 И КОМПОЗИТОВ СОСТАВА (1 – Х)IN2(MOO4)3–ХMOO3. Электрохимия, 57(8), 449-456. https://doi.org/10.31857/S0424857021080090

Vancouver

Пестерева НН, Гусева АФ, Дале ЯА. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ IN2(MOO4)3 И КОМПОЗИТОВ СОСТАВА (1 – Х)IN2(MOO4)3–ХMOO3. Электрохимия. 2021;57(8):449-456. doi: 10.31857/S0424857021080090

Author

Пестерева, Наталья Николаевна ; Гусева, Анна Федоровна ; Дале, Я. А. / ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ IN2(MOO4)3 И КОМПОЗИТОВ СОСТАВА (1 – Х)IN2(MOO4)3–ХMOO3. в: Электрохимия. 2021 ; Том 57, № 8. стр. 449-456.

BibTeX

@article{4b6425e151294cb8b8804e6cf831be9a,
title = "ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ IN2(MOO4)3 И КОМПОЗИТОВ СОСТАВА (1 – Х)IN2(MOO4)3–ХMOO3",
abstract = "Синтезирован молибдат индия и эвтектические композиты на его основе состава (1 ‒ х)In2(MoO4)3–хMoO3 (где х = 0; 0.1; 0.3; 0.5 мол. доли), исследована их проводимость в зависимости от температуры и давления кислорода в газовой фазе. Числа переноса носителей заряда определены методом Тубандта. Установлено, что In2(MoO4)3 является ионным проводником, одним из основных носителей заряда в котором является молибдат-ион Обнаружено, что в системе In2(MoO4)3–MoO3 композитный эффект проводимости отсутствует: при 600°С электропроводность композитов (1 – х)In2(MoO4)3–хMoO3 не зависит от содержания MoO3. Отсутствие композитного эффекта, вероятно, связано с отрицательным коэффициентом термического расширения In2(MoO4)3, что препятствует образованию сплошной высокопроводящей пленки на межфазной границе In2(MoO4)3|MoO3.",
author = "Пестерева, {Наталья Николаевна} and Гусева, {Анна Федоровна} and Дале, {Я. А.}",
year = "2021",
doi = "10.31857/S0424857021080090",
language = "Русский",
volume = "57",
pages = "449--456",
journal = "Электрохимия",
issn = "0424-8570",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "8",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ IN2(MOO4)3 И КОМПОЗИТОВ СОСТАВА (1 – Х)IN2(MOO4)3–ХMOO3

AU - Пестерева, Наталья Николаевна

AU - Гусева, Анна Федоровна

AU - Дале, Я. А.

PY - 2021

Y1 - 2021

N2 - Синтезирован молибдат индия и эвтектические композиты на его основе состава (1 ‒ х)In2(MoO4)3–хMoO3 (где х = 0; 0.1; 0.3; 0.5 мол. доли), исследована их проводимость в зависимости от температуры и давления кислорода в газовой фазе. Числа переноса носителей заряда определены методом Тубандта. Установлено, что In2(MoO4)3 является ионным проводником, одним из основных носителей заряда в котором является молибдат-ион Обнаружено, что в системе In2(MoO4)3–MoO3 композитный эффект проводимости отсутствует: при 600°С электропроводность композитов (1 – х)In2(MoO4)3–хMoO3 не зависит от содержания MoO3. Отсутствие композитного эффекта, вероятно, связано с отрицательным коэффициентом термического расширения In2(MoO4)3, что препятствует образованию сплошной высокопроводящей пленки на межфазной границе In2(MoO4)3|MoO3.

AB - Синтезирован молибдат индия и эвтектические композиты на его основе состава (1 ‒ х)In2(MoO4)3–хMoO3 (где х = 0; 0.1; 0.3; 0.5 мол. доли), исследована их проводимость в зависимости от температуры и давления кислорода в газовой фазе. Числа переноса носителей заряда определены методом Тубандта. Установлено, что In2(MoO4)3 является ионным проводником, одним из основных носителей заряда в котором является молибдат-ион Обнаружено, что в системе In2(MoO4)3–MoO3 композитный эффект проводимости отсутствует: при 600°С электропроводность композитов (1 – х)In2(MoO4)3–хMoO3 не зависит от содержания MoO3. Отсутствие композитного эффекта, вероятно, связано с отрицательным коэффициентом термического расширения In2(MoO4)3, что препятствует образованию сплошной высокопроводящей пленки на межфазной границе In2(MoO4)3|MoO3.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=46226835

U2 - 10.31857/S0424857021080090

DO - 10.31857/S0424857021080090

M3 - Статья

VL - 57

SP - 449

EP - 456

JO - Электрохимия

JF - Электрохимия

SN - 0424-8570

IS - 8

ER -

ID: 23009014