Standard

ВЛИЯНИЕ ПРИРОДЫ ГАЛОГЕНА-ДОПАНТА (F–, CL–) НА ТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА ПРОТОННЫХ ПРОВОДНИКОВ НА ОСНОВЕ BA4IN2ZR2O11. / Тарасова, Наталия Александровна; Галишева, Анжелика Олеговна; Анимица, Ирина Евгеньевна.
в: Электрохимия, Том 55, № 8, 2019, стр. 961-966.

Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

Harvard

Тарасова, НА, Галишева, АО & Анимица, ИЕ 2019, 'ВЛИЯНИЕ ПРИРОДЫ ГАЛОГЕНА-ДОПАНТА (F–, CL–) НА ТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА ПРОТОННЫХ ПРОВОДНИКОВ НА ОСНОВЕ BA4IN2ZR2O11', Электрохимия, Том. 55, № 8, стр. 961-966. https://doi.org/10.1134/S0424857019080152

APA

Тарасова, Н. А., Галишева, А. О., & Анимица, И. Е. (2019). ВЛИЯНИЕ ПРИРОДЫ ГАЛОГЕНА-ДОПАНТА (F–, CL–) НА ТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА ПРОТОННЫХ ПРОВОДНИКОВ НА ОСНОВЕ BA4IN2ZR2O11. Электрохимия, 55(8), 961-966. https://doi.org/10.1134/S0424857019080152

Vancouver

Тарасова НА, Галишева АО, Анимица ИЕ. ВЛИЯНИЕ ПРИРОДЫ ГАЛОГЕНА-ДОПАНТА (F–, CL–) НА ТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА ПРОТОННЫХ ПРОВОДНИКОВ НА ОСНОВЕ BA4IN2ZR2O11. Электрохимия. 2019;55(8):961-966. doi: 10.1134/S0424857019080152

Author

Тарасова, Наталия Александровна ; Галишева, Анжелика Олеговна ; Анимица, Ирина Евгеньевна. / ВЛИЯНИЕ ПРИРОДЫ ГАЛОГЕНА-ДОПАНТА (F–, CL–) НА ТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА ПРОТОННЫХ ПРОВОДНИКОВ НА ОСНОВЕ BA4IN2ZR2O11. в: Электрохимия. 2019 ; Том 55, № 8. стр. 961-966.

BibTeX

@article{46dc3c73b1844445a8631d0bfd35c850,
title = "ВЛИЯНИЕ ПРИРОДЫ ГАЛОГЕНА-ДОПАНТА (F–, CL–) НА ТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА ПРОТОННЫХ ПРОВОДНИКОВ НА ОСНОВЕ BA4IN2ZR2O11",
abstract = "В работе проведен анализ влияния F–- и Cl–-допирования на транспортные свойства протонного проводника Ba4In2Zr2O11. Установлено, что галогензамещенные фазы способны к интеркаляции воды и проявлению протонного переноса. Показано, что введение малых концентраций галогенид-ионов приводит к росту кислородно-ионной и протонной проводимости.",
author = "Тарасова, {Наталия Александровна} and Галишева, {Анжелика Олеговна} and Анимица, {Ирина Евгеньевна}",
year = "2019",
doi = "10.1134/S0424857019080152",
language = "Русский",
volume = "55",
pages = "961--966",
journal = "Электрохимия",
issn = "0424-8570",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "8",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ВЛИЯНИЕ ПРИРОДЫ ГАЛОГЕНА-ДОПАНТА (F–, CL–) НА ТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА ПРОТОННЫХ ПРОВОДНИКОВ НА ОСНОВЕ BA4IN2ZR2O11

AU - Тарасова, Наталия Александровна

AU - Галишева, Анжелика Олеговна

AU - Анимица, Ирина Евгеньевна

PY - 2019

Y1 - 2019

N2 - В работе проведен анализ влияния F–- и Cl–-допирования на транспортные свойства протонного проводника Ba4In2Zr2O11. Установлено, что галогензамещенные фазы способны к интеркаляции воды и проявлению протонного переноса. Показано, что введение малых концентраций галогенид-ионов приводит к росту кислородно-ионной и протонной проводимости.

AB - В работе проведен анализ влияния F–- и Cl–-допирования на транспортные свойства протонного проводника Ba4In2Zr2O11. Установлено, что галогензамещенные фазы способны к интеркаляции воды и проявлению протонного переноса. Показано, что введение малых концентраций галогенид-ионов приводит к росту кислородно-ионной и протонной проводимости.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=39149074

U2 - 10.1134/S0424857019080152

DO - 10.1134/S0424857019080152

M3 - Статья

VL - 55

SP - 961

EP - 966

JO - Электрохимия

JF - Электрохимия

SN - 0424-8570

IS - 8

ER -

ID: 10499112