Представлены первые результаты исследования электрических и фотоэлектрических свойств поликристаллического соединения CuInAsSe3. Определены спектральные и температурные области фоточувствительности кристаллов. Изучено поведение диэлектрической проницаемости, электропроводности, комплексного сопротивления, комплексной проводимости в диапазоне частот 1 Hz-32 MHz при температурах 10-400 K. Установлено, что материал обладает сегнетоэлектрическими свойствами. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке РФФИ (грант N 13-02-00633-а).