Проанализировано влияние температур (300-400 K) и концентраций на электропроводность, термоэдс и коэффициент теплопроводности кристаллических материалов на основе халькогенидов меди с общей формулой (GeSe)--1-x--(CuAsSe--2--)--x--. Определены механизмы переноса тепла. Выявлена немонотонность температурной зависимости теплопроводности с аномалией при 358 K. Вычислена термоэлектрическая добротность ZT. Ключевые слова: термоэдс, коэффициент Зеебека, теплопроводность, электропроводность, термоэлектрическая добротность, термоэлектрические преобразователи, полупроводники, халькогениды меди.