Гидрохимическим осаждением селеносульфатом натрия в присутствии добавки 5 × 10^–4−10^–3 моль/л хлорида меди(II) синтезированы нанокристаллические пленки CdSe на подложке из матированного стекла. Установлено, что введение хлорида меди(II) в реакционную смесь приводит к ускорению образования твердой фазы CdSe и уменьшению толщины слоя селенида кадмия от 240 до 130–160 нм. Выявлено, что легирование медью не влияет на кубическую В3 структуру (пр. гр. F4ˉ3m) пленки CdSe, но при 10^–3 моль/л хлорида меди(II) в реакторе приводит к уменьшению периода кристаллической решетки от 0.59967 до 0.59899 нм, связанному с образованием пересыщенного твердого раствора замещения Cu_xCd₁ – _xSe (x = 0.03). Ширина запрещенной зоны пленки CdSe, рассчитанная по светопропусканию и диффузному отражению, составляет 1.8 эВ. Включение в пленку меди приводит к уменьшению Е_g до 1.6 эВ. Показано, что легирование медью приводит к возникновению люминесценции в ближнем ИК-диапазоне спектра (680–780 нм) и к изменению n-типа проводимости на p-тип.