В настоящей работе предпринята попытка выявления фотоадсорбционного эффекта в полупроводниковых слоях твердых растворов CdxPb1-xS, чувствительных к присутствию в воздухе диоксида азота при использовании различных источников фотоактивации. С этой целью из цитратно-аммиачной реакционной системы гидрохимическим методом был синтезированы плёнки CdxPb1-xS толщиной до 600 нм путем осаждения на ситалловые и стеклянные подложки. С использованием рентгеновского анализа определены структура и состав твердых растворов CdxPb1-xS. Установлено, что все пленки кристаллизуются в кубической структуре B1, характерной для сульфида свинца. С учетом содержания в них замещающего компонента и в сравнении с равновесными фазовыми диаграммами системы PbS-CdS, полученные твердые растворы являются по своей природе сильно пересыщенными. При увеличении продолжительности осаждении от 60 до 120 мин. содержание кадмия в решетке PbS повышается в пленках, осажденных на ситалле и стекле с 3.9 до 5.9 и с 4.3 до 5.4 ат% соответственно. Отмечено, что с увеличением времени осаждения повышается уровень их кристалличности. Методом электронной микроскопии определены размеры частиц, формирующих слои. Преобладающим размером кристаллитов в них является 250-300 нм. Исследованы сенсорные свойства пленок твердых растворов CdxPb1-xS по отношению к присутствию в воздухе диоксида азота с концентрацией 100 мг/м3 при использовании предварительной фотоактивации от различных источников с длиной волны излучения от 420 до 1000 нм. Впервые для гидрохимически осажденных пленок твердых растворов CdxPb1-xS был выявлен положительный фотоадсорбционный эффект. Предварительная фотоактивация пленок синей лампой (760- 1000 нм) в течение 9-13 минут позволяет повысить более чем вдвое отклик пленок к NO2. Показана высокая скорость релаксации сенсорных элементов на основе CdxPb1-xS после контакта с диоксидом азота, составляющая 4-10 минут, что позволяет обеспечить многоразовый характер их использования.