Тонкие пленки сульфида свинца являются одними из наиболее чувствительных материалов в видимом и ближнем ИК-диапазоне спектра (0.4-3.0 мкм) и благодаря этому находят широкое применение в оптоэлектронике. Одним из наиболее перспективных способов синтеза этого полупроводникового материала является химическое осаждение из водных растворов. При этом для улучшения свойств осаждаемых пленок используют допирующие добавки. В настоящей работе рассмотрено влияние катионов стронция Sr2+ на кинетику химического осаждения твердой фазы сульфида свинца, а также на толщину, морфологию и элементный состав формируемых пленок. По результатам проведенных кинетических исследований осаждения твердой фазы PbS(Sr) было установлено, что введение хлорида стронция в реакционную смесь ингибирует процесс формирования осадка и способствует существенному увеличению индукционного периода его образования. Гидрохимическим осаждением из аммиачно-цитратной реакционной смеси с добавлением йодида аммония и хлорида стронция были синтезированы поликристаллические пленки сульфида свинца на подложках из ситалла и стекла. Толщина полученных пленок PbS при их легировании йодом уменьшалась с 400 нм для индивидуального PbS до 350 нм. Увеличение содержания хлорида стронция в реакционной смеси от 5∙10-5 до 5∙10-3 Мспособствует снижению толщины слоев с 300 до 150 нм. Энерго-дисперсионным элементным анализом легированных пленок установлена незначительная нестехиометрия по сере в их составе и снижение содержания в них йода от 1.4 до 1.0 ат. % при вхождении стронция в структуру полупроводника. Электронной микроскопией показано, что введение в реактор йодида аммония приводит к уменьшению среднего размера кристаллитов с четкой огранкой с 300 нм для индивидуальной пленки PbS до ~150 нм. Введение соли стронция до содержания 5∙10-5 М примерно в 2 раза повышает долю наночастиц, формирующих слои PbS(I, Sr), при последующем увеличении концентрации соли до 5∙10-3 М наблюдается снижение их доли с 14 до 11%.