Бинарное полупроводниковое соединение HgSe в тонкопленочном состоянии представляет интерес в качестве материала для фундаментальных исследований благодаря своей необычной зонной структуре и практическому применению в качестве фотодетекторов, ИК-излучателей, перестраиваемых лазеров, ультразвуковых и газовых датчиков, катализаторов, светоотражающих материалов, преобразователей солнечной энергии. Существующие методы получения полупроводниковых слоев HgSe включают как физические, так и химические. В работе отмечается, что перспективным является химическое осаждение селенида ртути селеносульфатом натрия, исключающим образование цианамида металла. На основе представления об обратимом характере гидролитического разложения селеносульфата натрия в водных растворах проведен термодинамический анализ условий осаждения и установлены концентрационные области образования основной HgSe и примесной Hg(OH)2 твердых фаз из щелочных реакционных систем “Hg(NO3)2 - NH4SCN - Na2SeSO3” и “Hg(NO3)2 - NH4SCN - NH4I - Na2SeSO3” (рН = 8...