Тонкие пленки селенида меди(I) находят широкое применение в оптоэлектронике и солнечной энергетике, имея оптимальные значения ширины запрещенной зоны, равные 1.1-2.3 эВ. Среди существующих методов получения тонких пленок Cu2Se значительную перспективу имеет химическое осаждение из водных сред, которое исключает необходимость в сложном дорогостоящем оборудовании, нагреве до высоких температур и создании глубокого вакуума. Анализ публикаций свидетельствует о преобладании рецептурного подхода к химическому осаждению тонких пленок на основе селенида меди(I). В работе был использован разработанный ранее и широко апробированной на практике расчетный метод прогнозирования граничных условий образования индивидуальных фаз халькогенидов металлов. Граничные условия образования селенидов меди(I) и (II) были определены при температуре 298 K в двух реакционных системах: “CuCl2 - NH2OH∙HCl - Na2SeSO3” и “CuCl2 - KSCN - NH2OH∙HCl - Na2SeSO3” с использованием в качестве халькогенизатора селеносульфата натрия. Показано, что наиболее предпочтительной для химического осаждения твердой фазы селенида меди(I) является кислая область pH. Одновременно были найдены условия осаждения, сопутствующих образованию сульфида, гидроксидов меди CuOH и Cu(OH)2. С учетом выбранных концентраций компонентов реакционных смесей и рН в обеих системах гидрохимическим осаждением были синтезированы зеркальные поликристаллические слои селенида меди(I) толщиной в зависимости от заданных условий 100-500 нм, имеющие хорошую адгезию к ситалловой подложке. Пленки сформированы из кристаллов, средний размер которых составляет 80-450 нм. По результатам энерго-дисперсионного анализа был установлен их элементный состав. Использование в качестве халькогенизатора селеносульфата натрия, а также солянокислого гидроксиламина обеспечивает создание восстановительной среды в реакторе с переводом двухвалентной меди в одновалентное состояние и формирование твердой фазы Cu2Se. Осажденные слои характеризуются относительно высокой стехиометричностью формульного состава, по результатам использования метода термоЭДС они обладают дырочным типом проводимости.
