Тонкие пленки сульфида свинца находят широкое применение в оптоэлектронике, являясь одними из наиболее фоточувствительных материалов в видимом и ближнем ИК-диапазоне спектра (0.4-3.0 мкм). Перспективных способов их синтеза является химическое осаждение из водных растворов. При этом для сенсибилизации осаждаемых пленок используют допирующие добавки. В работе рассмотрено влияние на морфологию, элементный состав и фотоэлектрические характеристики химически осажденных пленок PbS допантов в виде солей магния, кальция, меди(II), кадмия, галлия, железа(II), вводимых в реакционную смесь. По результатам проведенного сравнительного термодина-мического расчета эффективных произведений растворимости сульфидов металлов-допантов и сульфида свинца высказано предположение, что введение в реактор при осаждении пленок PbS солей магния, кальция и железа(II) будет способствовать увеличению индукционного периода образования твердой фазы. В свою очередь, введение солей меди(II), кадмия и галлия из-за относительно низких значений произведения растворимости их сульфидов увеличит скорость процесса зарождения твердой фазы PbS по гетерогенному механизму. Гидрохимическим осаждением были синтезированы поли-кристаллические пленки сульфида свинца толщиной 200-300 нм, имеющие хорошую адгезию к ситалловой подложке. Пленки сформированы из частиц с преимущественными размерами от 20 до 60 нм. По результатам кинетических исследований превращения соли свинца в сульфид в аммиачно-цитратной реакционной смеси, содержащей допирующую добавку хлорида кальция, подтверждена гипотеза об ингибировании им процесса образования твердой фазы PbS, сопровождающемся увели-чением индукционного периода. При измерении фотоэлектрических характеристик пленок сульфида свинца, осажденных при содержании в реакционной смеси до 10-3 моль/л солей магния, кальция, меди(II), кадмия, галлия, железа(II), было установлено выраженное сенсибилизирующее действие к видимому и ИК-диапазону спектра допирующих добавок магния, кальция и галлия. Их введение в реакционную смесь обеспечивает повышение вольт-ваттой чувствительности пленок в 3-4 раза.
Переведенное названиеChemical bath synthesis of metal chalcogenide films. Part 34. Dopant influence on functional properties of chemical bath deposed PbS films
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)115-125
Число страниц11
ЖурналБутлеровские сообщения
Том51
Номер выпуска7
СостояниеОпубликовано - 2017

    Уровень публикации

  • Перечень ВАК

    ГРНТИ

  • 31.00.00 ХИМИЯ

ID: 6178737