Проведен расчет ионных равновесий в реакционных системах, предназначенных для получения пленок твердых растворов замещения CdPbS, путем совместного гидрохимического осаждения сульфидов свинца и кадмия. Рассмотрены три реакционные системы, содержащие следующие комбинации комплексообразующих агентов: триэтаноламин и аммиак (триэтаноламин-аммиачная система), триэтаноламин и цитрат натрия (триэтаноламин-цитратная система), триэтаноламин и этилендиамин (триэтаноламин-этилендиминная система). В качестве халькогенизатора для осаждения сульфидов использовался тиокарбамид. Основными комплексными формами, препятствующими быстрому образованию сульфидов свинца и кадмия в триэтаноламин-аммиачной системе в области рН интенсивного разложения тиокарбамида, являются гидроксокомплексы кадмия и свинца. Вклад непосредственно триэтаноламина и аммиака в комплексообразование при заданных концентрациях лигандов в этой системе оказался малозначительным. В триэтаноламин-цитратной ванне при рН химического осаждения сульфидов и кадмий, и свинец находятся в растворе в виде сложных гидроксо-цитратных комплексов, а свинец, к тому же, образует гидроксокомплекс Pb(OH)42-. В триэтаноламин-этилендиминной системе наиболее весомую роль в щелочной области играют комплексы кадмия с этилендиамином, в то время как свинец находится преимущественно в виде гидроксокомплексов. Для оценки условий осаждения основных и примесных фаз (гидроксидов и цианамидов металлов) путем термодинамических расчетов с учетом размеров критических зародышей были найдены граничные условия и области образования CdS, PbS, Cd(OH)2, Pb(OH)2, CdCN2, PbCN2 в исследуемых реакционных системах. Результаты расчетов представлены в виде трехмерных графических зависимостей в координатах “показатель начальной концентрации соли металла - рН раствора - концентрация лиганда”. На основе проведенных расчетов и предварительных экспериментов сформированы составы реакционных смесей для проведения химического осаждения пленок. В процессе синтеза при температуре 353 K с использованием всех изучаемых реакционных систем на ситалловых подложках были получены однородные слои CdPbS толщиной от 100 до 300 нм.
