Standard

СТРУКТУРА И СОСТАВ ХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ТОНКИХ ПЛЕНОК IN2S3. / Марков, В. Ф.; Туленин, С. С.; Маскаева, Л. Н. и др.
в: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, № 7, 2014, стр. 42-48.

Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

Harvard

Марков, ВФ, Туленин, СС, Маскаева, ЛН & Кузнецов, МВ 2014, 'СТРУКТУРА И СОСТАВ ХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ТОНКИХ ПЛЕНОК IN2S3', Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, № 7, стр. 42-48. https://doi.org/10.7868/S0207352814070129

APA

Vancouver

Марков ВФ, Туленин СС, Маскаева ЛН, Кузнецов МВ. СТРУКТУРА И СОСТАВ ХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ТОНКИХ ПЛЕНОК IN2S3. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2014;(7):42-48. doi: 10.7868/S0207352814070129

Author

Марков, В. Ф. ; Туленин, С. С. ; Маскаева, Л. Н. и др. / СТРУКТУРА И СОСТАВ ХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ТОНКИХ ПЛЕНОК IN2S3. в: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2014 ; № 7. стр. 42-48.

BibTeX

@article{76fdf8b1f4e14a96a0915f479dcef650,
title = "СТРУКТУРА И СОСТАВ ХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ТОНКИХ ПЛЕНОК IN2S3",
abstract = "Методом химического осаждения из водных растворов, содержащих хлорид индия, тиоацетамид, винную кислоту и гидроксиламин солянокислый в области температур 343–368 K получены наноструктурированные пленки кубического сульфида индия(III) толщиной 285–756 нм. В поверхностных слоях пленок обнаружены примеси кислород- и углеродсодержащих соединений, которые отсутствуют в объеме пленок на глубине 12 нм. С повышением температуры синтеза наблюдается существенное изменение морфологии слоев и увеличение размеров кристаллитов от 70 до 150 нм. Отжиг при температуре 573 K приводит к оплавлению агрегатов кристаллитов и вхождению в состав пленок In2S3 от 6 до 10 ат. % кислорода.",
author = "Марков, {В. Ф.} and Туленин, {С. С.} and Маскаева, {Л. Н.} and Кузнецов, {М. В.}",
year = "2014",
doi = "10.7868/S0207352814070129",
language = "Русский",
pages = "42--48",
journal = "Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования",
issn = "1028-0960",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "7",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - СТРУКТУРА И СОСТАВ ХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ТОНКИХ ПЛЕНОК IN2S3

AU - Марков, В. Ф.

AU - Туленин, С. С.

AU - Маскаева, Л. Н.

AU - Кузнецов, М. В.

PY - 2014

Y1 - 2014

N2 - Методом химического осаждения из водных растворов, содержащих хлорид индия, тиоацетамид, винную кислоту и гидроксиламин солянокислый в области температур 343–368 K получены наноструктурированные пленки кубического сульфида индия(III) толщиной 285–756 нм. В поверхностных слоях пленок обнаружены примеси кислород- и углеродсодержащих соединений, которые отсутствуют в объеме пленок на глубине 12 нм. С повышением температуры синтеза наблюдается существенное изменение морфологии слоев и увеличение размеров кристаллитов от 70 до 150 нм. Отжиг при температуре 573 K приводит к оплавлению агрегатов кристаллитов и вхождению в состав пленок In2S3 от 6 до 10 ат. % кислорода.

AB - Методом химического осаждения из водных растворов, содержащих хлорид индия, тиоацетамид, винную кислоту и гидроксиламин солянокислый в области температур 343–368 K получены наноструктурированные пленки кубического сульфида индия(III) толщиной 285–756 нм. В поверхностных слоях пленок обнаружены примеси кислород- и углеродсодержащих соединений, которые отсутствуют в объеме пленок на глубине 12 нм. С повышением температуры синтеза наблюдается существенное изменение морфологии слоев и увеличение размеров кристаллитов от 70 до 150 нм. Отжиг при температуре 573 K приводит к оплавлению агрегатов кристаллитов и вхождению в состав пленок In2S3 от 6 до 10 ат. % кислорода.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=21615629

U2 - 10.7868/S0207352814070129

DO - 10.7868/S0207352814070129

M3 - Статья

SP - 42

EP - 48

JO - Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования

JF - Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования

SN - 1028-0960

IS - 7

ER -

ID: 6474633